Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., Infineon'un yüksek güvenilirlikli 750V CoolSiC™ MOSFET IMDQ75R serisini tedarik etmekte ve geri dönüştürmektedir. Bu seri, yapay zeka sunucu uygulamaları için uygundur.
I. IMDQ75R Serisine Genel Bakış
IMDQ75R serisi, Infineon'un ikinci nesil CoolSiC™ G2 trench tipi silisyum karbür MOSFET'lerini içermektedir. Bu 750V endüstriyel sınıf SMD yüzey montajlı güç cihazları, Q-DPAK üstten soğutmalı paketi kullanır ve yüksek yoğunluklu anahtarlamalı güç kaynakları (PSU'lar), totem-direkli PFC'ler, LLC rezonant dönüştürücüler ve ara bara dönüştürücüler (IBC'ler) için tasarlanmıştır. Bu cihazlar, yapay zeka sunucularındaki yüksek güç, yüksek akım, yüksek frekanslı çalışma, sıkı termal yönetim ve uzun süreli kesintisiz çalışma ile ilgili tasarım zorluklarını ele almaktadır. Cihazlar, JEDEC endüstriyel güvenilirlik testlerini ve %100 avalanş kırılma gerilimi doğrulamasını başarıyla geçmiştir. 7 gün 24 saat çalışan veri merkezlerinde sürekli, ağır yük koşulları altında yüksek verimlilik, yüksek güç yoğunluğu ve uzun süreli operasyonel güvenilirlik sunmaktadır.
Anahtar Parametre Özeti
- Boşalma-kaynak kırılma gerilimi V DSS : 750 V
- Açık durum direnci RDS (on): tipik 25 mΩ, maksimum 31 mΩ @ Tj = 25 °C
- Darbe boşalma akımı I (D,pulse): 242 A
- Kapı şarjı Q G : 49 nC
- 500 V koşulları altında çıkış kapasitansında depolanan enerji E OSS : 18.5 μJ
- Paket: Q-DPAK (PG-HDSOP-22) yüzey montajlı, üstten soğutmalı
- Çalışma eklem sıcaklığı: –55 °C ila 175 °C
II. IMDQ75R Serisinin Temel Elektriksel ve Paketleme Parametreleri
1. Elektriksel Dayanım Gerilimi ve Avalanş Güvenilirliği
Boşalma-kaynak nominal gerilimi **750 V**, tüm eklem sıcaklığı aralığında korunur; cihazların %100'ü avalanş stres testine tabi tutulmuş, dalgalanmalara ve gerilim sıçramalarına karşı güçlü direnç göstermiştir; Tipik kapı eşik gerilimi 4.5 V, düşük Crss/Ciss oranı ile birlikte, yüksek hızlı anahtarlama senaryolarında parazitik iletim riskini önemli ölçüde azaltır, bu da yapay zeka sunucu güç kaynaklarındaki yüksek yoğunluklu kart düzenleriyle ilişkili şiddetli elektromanyetik girişim koşulları için uygun olmasını sağlar. –7 V ila –11 V arasındaki geniş bir negatif kapı sürüş gerilimi aralığını destekleyerek sistemin girişime karşı bağışıklığını daha da artırır.
2. Mükemmel Şekil Faktörü (FOM), genel sistem kayıplarını azaltır
İkinci nesil trench CoolSiC™ işlemine dayanarak, sektör lideri `RDS(on)×Qfr` elde ederken, `RDS(on)×Qoss` ve `RDS(on)×QG` için mükemmel kapsamlı FOM değerleri sunar; Çıkış kapasitans enerjisi depolama (Eoss) ve kapı şarjı (Qg) önemli ölçüde optimize edilmiştir. Birinci nesil ürünlere kıyasla, anahtarlama hızı yaklaşık %25-30 oranında artarken, anahtarlama kayıpları %30'un üzerinde azaltılmıştır. Hem sert anahtarlamalı hem de yumuşak anahtarlamalı topolojilerde yüksek verimli performans elde edilir, bu da yapay zeka sunucu güç kaynaklarının daha yüksek frekanslarda çalışmasına, manyetik bileşenlerin boyutunu küçültmesine ve genel güç yoğunluğunu artırmasına yardımcı olur. Cihaz, son derece düşük ters toparlanma şarjına sahip yüksek performanslı bir SiC öz diyotu içerir, bu da ek paralel hızlı toparlanma diyotlarına olan ihtiyacı ortadan kaldırır ve güç kaynağı çevre bileşenlerinin tasarımını basitleştirir.
3. Termal Tasarım ve Uzun Süreli Operasyonel Yetenek
Infineon'un tescilli .XT difüzyon yapıştırma çip montaj işlemini ve Q-DPAK üstten soğutmalı paketi kullanan cihaz, kısa bir ısı yolu ve mükemmel termal dirence sahiptir. –55 °C ila 175 °C arasında bir çalışma eklem sıcaklığı aralığına sahiptir. Yapay zeka sunucu odalarının tipik yüksek ortam sıcaklıklarında 7/24 sürekli tam yük çalışmasına dayanabilir. Birden fazla cihaz paralel bağlandığında, mükemmel akım paylaşım özellikleri sergilerler ve yüksek güçlü sunucu güç kaynağı genişletme tasarımları için gereksinimleri karşılarlar. Paket, güç devresini sürüş devresinden ayıran bağımsız bir sürüş kaynak tarafı Kelvin pini içerir, bu da devredeki parazitik endüktansı azaltır ve yüksek frekanslı anahtarlama kararlılığını daha da iyileştirir.
III. IMDQ75R Serisinin Temel Teknik Özellikleri
1. İkinci nesil CoolSiC™ trench SiC işlemi, önceki nesle kıyasla cihazın şekil faktöründe (FOM) %20-35'lik bir iyileşme ile; `RDS(on)×Qoss` ve `RDS(on)×Qfr` için sektör lideri kalite faktörleri, açık durum ve anahtarlama kayıplarının ikili optimizasyonunu sağlar.IV. Yapay Zeka Sunucu Uygulamaları İçin IMDQ75R Serisinin DeğeriYüksek hesaplama gücüne sahip yapay zeka sunucularındaki GPU iş yükleri, büyük geçici ani akımlar, sürekli yüksek yükler, yüksek kabin ortam sıcaklıkları ve yıl boyunca kesintisiz çalışma ile karakterize edilir. Geleneksel silikon tabanlı MOSFET'ler ve IGBT'ler, yüksek frekanslı, yüksek güçlü senaryolarda yüksek kayıplar ve önemli termal zorluklar yaşar, bu da güç kaynağı verimliliği ve güç yoğunluğundaki iyileşmeleri sınırlar.4. Mükemmel yüksek frekans uyumluluğu, anahtarlama kayıpları sıcaklıktan minimum düzeyde etkilenir, bu da PFC ve LLC çalışma frekanslarında önemli bir artış sağlar. Bu, transformatörler ve indüktörler gibi manyetik bileşenlerin boyutunu azaltır, böylece sunucu güç kaynaklarının malzeme maliyetini ve sistemin genel ağırlığını düşürür.5. Kullanıcı dostu paralel çalışma yeteneği, paralel çalışma sırasında akım dengesizliğini bastıran bağımsız sürüş kaynak pinleri ile, on binlerce kilovatlık yapay zeka sunucularında yüksek güçlü güç ünitelerinin çıkış gereksinimlerini karşılamak için birden fazla cihazın kolayca paralel bağlanmasına olanak tanır.IV. Yapay Zeka Sunucu Uygulamaları İçin IMDQ75R Serisinin DeğeriYüksek hesaplama gücüne sahip yapay zeka sunucularındaki GPU iş yükleri, büyük geçici ani akımlar, sürekli yüksek yükler, yüksek kabin ortam sıcaklıkları ve yıl boyunca kesintisiz çalışma ile karakterize edilir. Geleneksel silikon tabanlı MOSFET'ler ve IGBT'ler, yüksek frekanslı, yüksek güçlü senaryolarda yüksek kayıplar ve önemli termal zorluklar yaşar, bu da güç kaynağı verimliliği ve güç yoğunluğundaki iyileşmeleri sınırlar.Yapay zeka hesaplama sunucularındaki yüksek yoğunluklu PSU güç kaynağı sistemleri için uygundur, AC-DC ön uç PFC dönüştürme aşamasını, arka uç LLC rezonant DC-DC dönüştürmeyi ve yapay zeka sunucularındaki çift aktif köprü (DAB) güç modüllerini kapsar.1. Geliştirilmiş güç dönüştürme verimliliği: Son derece düşük iletim ve anahtarlama kayıpları, sunucu güç kaynağının içinde ısı üretimini azaltır, veri merkezinin soğutma sistemlerinin güç tüketimini düşürür, PUE metriklerini iyileştirir ve yüksek hesaplama gücüne sahip yapay zeka senaryolarında sürekli yüksek akım çıkışı gereksinimlerini karşılar.
2. Minyatürleştirme ve yüksek güç yoğunluğu sağlar: Güç kaynağının daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışmasını sağlar, transformatörler ve indüktörler gibi pasif bileşenlerin boyutunu küçültür ve sunucu güç kaynaklarının daha yüksek güç yoğunluğu ve daha küçük form faktörlerine doğru evrimini kolaylaştırır.
3. Geliştirilmiş uzun süreli sistem güvenilirliği: %100 avalanş testi, parazitik iletime karşı güçlü direnç ve geniş bir eklem sıcaklığı aralığında çalışma yeteneği, modülün yapay zeka sunucu yüklerindeki şiddetli dalgalanmalar ve büyük geçici ani akımlarla başa çıkmasını sağlar, böylece güç kaynağı arızası riskini azaltır ve hesaplama iş yüklerinin sürekli ve kararlı çalışmasını sağlar.
4. Basitleştirilmiş donanım geliştirme: Entegre diyot, mükemmel ters toparlanma özellikleri ve sürücü dostu bir tasarım sunar, olgun SiC kapı sürücü çipleriyle uyumluluğu sağlar ve sunucu güç kaynağı projeleri için geliştirme döngüsünü kısaltır.
V. IMDQ75R Serisinin Tipik Uygulama Senaryoları
Yapay Zeka / Yapay Zeka Hesaplama Sunucu Anahtarlamalı Güç Kaynakları (PSU'lar)
Veri Merkezi Yüksek Gerilim Doğru Akım Ara Bara Dönüştürücüleri (IBC'ler)
Totem-Direkli PFC ve LLC Rezonant Güç Dönüştürme Topolojileri
Üst Düzey Telekomünikasyon Güç Kaynakları ve Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS)
Endüstriyel Yüksek Güç SMPS Anahtarlamalı Güç Kaynağı Sistemleri
VI. Infineon IMDQ75R Serisi Ürünler:
IMDQ75R011M2H
IMDQ75R020M2H
IMDQ75R033M2H
IMDQ75R040M2H
IMDQ75R050M2H
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
Turkish
