Şirket Blog About Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 N-Kanal Güç MOSFET Transistörleri

InfineonIPB60R045P7600V CoolMOSTM P7 N-Kanal Güç MOSFET Transistörleri

Modern elektronik endüstrisinde, güç MOSFET tranzistörleri, güç yönetimi,endüstriyel kontrol ve otomotiv elektroniğiInfineon'un CoolMOSTM P7 serisi, mükemmel performansı ve güvenilirliği nedeniyle pazar tarafından çok tercih edilmektedir.Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Dünya çapında tanınmış bir elektronik bileşen dağıtımcısı olarak, uzun süredir Infineon IPB60R045P7 CoolMOSTM P7 N kanallı güç MOSFET tranzistörleri tedarik ediyor.Müşterilere yüksek kaliteli ürünler ve profesyonel hizmetler sağlamak.

InfineonIPB60R045P7CoolMOSTM P7 Ürün Özetleri

1. Ürün TanımıIPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOS TM P7 süper bağlantı MOSFET, 600V CoolMOS TM P6 serisinin halefisidir.Sınıfındaki en iyi RonxA ve CoolMOSTM 7. nesil platformunun doğal olarak düşük geçit yükü (QG), yüksek verimliliğini sağlar.

2. ÖzellikleriIPB60R045P7

Transistör kutupluğu: N-Kanal

Kanal sayısı: 1 Kanal

Vds - Çekilme Kaynağı Çökme Voltajı: 120 V

Id - Sürekli akış akımı: 61 A

Rds On - Çekilme Kaynağı Direnci: 45 mOhm

Vgs - Geçit-kaynak voltajı: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Geçit-kaynak Sınır Voltajı: 1.7 V

Qg - Geçit Şarjı: 90 nC

Asgari çalışma sıcaklığı: - 55 C.

Maksimum çalışma sıcaklığı: + 150 C

Pd - Güç dağılımı: 201 W

Kanal Modu: Geliştirme

Yapılandırma: Bekar

Sonbahar zamanı: 5 ns

Kalkış saati: 5 ns

Tipik kapatma gecikme süresi: 28 ns

Tipik açma gecikme süresi: 10 ns

Birim ağırlığı: 4 g

3,IPB60R045P7Infineon'un CoolMOSTM P7 serisindeki yüksek performanslı bir N-kanal güç MOSFET tranzistörüdür ve aşağıdaki temel özelliklere sahip gelişmiş MOSFET teknolojisine sahiptir:

Yüksek voltaj kapasitesi: IPB60R045P7, 650V'ye kadar yüksek boşaltma kaynağı voltajına (Vdss) sahiptir ve bu da yüksek voltajlı uygulama senaryoları için uygundur.

Düşük direnç: IPB60R045P7'nin son derece düşük direnci iletkenlik kayıplarını önemli ölçüde azaltır ve genel verimliliği artırır.Açma direnci (Rds On) sadece 45mOhm'dur., enerji tüketimini etkili bir şekilde azaltır.

Yüksek Akım Taşıma Kapasitesi: IPB60R045P7, 25 °C'de 48A'lık sürekli akım akımı (Id) ile yüksek güç gereksinimlerini karşılar.

Hızlı geçiş performansı: CoolMOSTM P7 platformunun süper bağlantı teknolojisi sayesinde,IPB60R045P7 cihazı, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için son derece düşük geçit yükü (QG) ve anahtarlama kayıplarına sahiptir..

Geniş sıcaklık aralığı: IPB60R045P7, sert ortamlar için -55 °C'den 150 °C'ye kadar sıcaklık aralığında çalışır.

Entegre ESD Koruması: IPB60R045P7'nin yerleşik Zener diodosu, cihazın güvenilirliğini artıran 2 kV'ye kadar elektrostatik boşaltma (ESD) koruması sağlar.

Optimize edilmiş paket tasarımı: IPB60R045P7, farklı uygulama senaryolarının ihtiyaçlarını karşılamak için delik ve yüzey montajı için geniş bir paket yelpazesi (örneğin, D2PAK) destekliyor.

4,Teknik AvantajlarıIPB60R045P7

Yüksek verimlilik tasarımı: IPB60R045P7, RDS ((on) ve QG'nin kalite faktörünü (FOM) optimize ederek daha yüksek verimliliğe ulaşır.PFC ve LLC gibi sert ve yumuşak geçişli topolojiler için özellikle uygundur.

Kullanım kolaylığı: Entegre kapı direnişi (RG), salınım hassasiyetini azaltır ve tasarım akışını basitleştirir.Düşük zil eğilimi ve mükemmel vücut diyot dayanıklılığı tasarım karmaşıklığını daha da azaltır.

Mükemmel termal performans: Düşük anahtarlama ve iletkenlik kayıpları, cihazın yüksek sıcaklıklı ortamlarda istikrarlı bir işlevi sürdürmesini sağlar ve bu da yüksek güç yoğunluğu tasarımları için uygundur.

5. Özellikleri ve AvantajlarıIPB60R045P7

600V P7 mükemmel FOM RDS ((on) xEoss ve RDS ((on) xQG sağlar

Kullanım kolaylığı

ESD dayanıklılığı ≥ 2kV (HBM sınıfı 2)

Entegre kapı direnişi RG

Sert vücut diodu

Geniş portföyü delik ve yüzey montaj paketlerinde

Hem standart sınıf hem de endüstriyel sınıf parçalar mevcuttur

Mükemmel FOM'lar daha yüksek verimliliği sağlar

Kullanım kolaylığı

ESD arızalarının oluşmasını durdurarak üretim ortamlarında kullanım kolaylığı

Entegre RG, MOSFET salınım hassasiyetini azaltır

MOSFET, PFC ve LLC gibi sert ve rezonanslı anahtarlama topolojileri için uygundur

LLC topolojisinde görülen vücut diodunun sert komutasyon sırasında mükemmel dayanıklılık

Çok çeşitli son uygulamalara ve çıkış güçlerine uygundur

Tüketici ve endüstriyel uygulamalar için uygun bulunan parçalar

6,UygulamalarIPB60R045P7

Endüstriyel güç kaynakları: Sunucu güç kaynaklarını, iletişim ekipmanlarını ve endüstriyel SMPS'leri içeren, yüksek performansları ve güvenilirlikleri zorlu endüstriyel ortamların ihtiyaçlarını karşılar.

Tüketici Elektronikleri: IPB60R045P7, televizyon güç kaynakları, adaptörler ve şarj cihazları için uygundur ve minyatürleştirme ve yüksek performanslı tasarım hedeflerine ulaşmaya yardımcı olur.

Yeni Enerji: IPB60R045P7'nin yüksek performansı ve düşük kayıp özellikleri güneş inverterlerinde ve elektrikli araç şarj istasyonlarında tam olarak gösterilmiştir.

7. Paketin ÖzetleriIPB60R045P7