Şirket Blog About Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ N-kanal güç MOSFET Transistörü

Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ N-kanal güç MOSFET Transistörü

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., profesyonel bir elektronik bileşen tedarikçisi olarak, orijinal IPD70R600P7S güç MOSFET'leri sağlar.

The IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ P7 güç MOSFET'i, süper-junction teknolojisini kullanan bir N-kanal transistör olup, olağanüstü anahtarlama performansı ve optimize edilmiş sistem maliyeti sunarak, tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalarda verimli güç dönüşümü için ideal bir seçimdir.

IPD70R600P7S, CoolMOS serisinin düşük kayıp özelliklerini miras almakla kalmaz, aynı zamanda kullanım kolaylığı ve sistem entegrasyonunda önemli atılımlar sağlayarak, şarj cihazları, adaptörler ve aydınlatma sistemleri gibi uygulamalar için mükemmel çözümler sunar.

【IPD70R600P7S Ürüne Genel Bakış】

Infineon CoolMOS™ P7 serisi, yüksek voltajlı güç MOSFET teknolojisinde önemli bir atılımı temsil eder. Infineon tarafından öncülük edilen süper-junction teknolojisini kullanan bu seri, özellikle tüketici elektroniği pazarındaki maliyet duyarlı uygulamalar için optimize edilmiştir.

Bu serideki 700V cihazı olan IPD70R600P7S, maliyet etkinliği ve kullanım kolaylığı arasında mükemmel bir denge kurar.

The IPD70R600P7S 700V CoolMOS P7 platformu, cep telefonu şarj cihazları, güç adaptörleri, LED aydınlatma ve televizyon güç kaynakları gibi maliyet duyarlı uygulamaları hedeflemektedir.

Bu uygulamalar, düşük sıcaklık artışı ve yüksek güvenilirlik sağlarken, yüksek anahtarlama frekanslarında çalışabilen güç dönüşüm cihazları talep eder.

CoolMOS P7 teknolojisi, en yüksek verimlilik standartlarını sağlayarak, mühendislerin daha ince, daha kompakt güç çözümleri gerçekleştirmesine yardımcı olmak için yüksek güç yoğunluklu tasarımları destekler.

【IPD70R600P7S Temel Parametreler ve Elektriksel Özellikler】

IPD70R600P7S, akranlarından ayıran birkaç etkileyici elektriksel özelliğe sahiptir.

TO-252 kılıfında bulunan IPD70R600P7S, minimum PCB alanı kaplar ve yüksek yoğunluklu devre kartı tasarımları için uygundur.

Gerilim ve Akım Değerleri: 700V'a kadar drain-source gerilimi (Vdss) ve 8.5A'lık sürekli drain akımı (Id) ile çeşitli yüksek voltajlı uygulama ortamlarına uyum sağlar.

Açık Direnç: 10V gate-source gerilimi ve 1.8A test koşullarında, açık direnç (RDS(on)) sadece 600mΩ olup, iletim kayıplarını etkili bir şekilde azaltır.

Gate yükü özellikleri: 3.7 nC'lik bir gate yükü (Qg), düşük açık direnç ile birleştiğinde, anahtarlama performansı ve iletim kayıpları arasında optimum bir denge sağlar.

Çalışma sıcaklığı aralığı: -40°C ila +150°C'lik geniş bir çalışma sıcaklığı aralığı, çeşitli zorlu ortamlarda kararlı cihaz çalışmasını sağlar.

The IPD70R600P7S MOSFET, ±16V'luk bir gate-source gerilimi (Vgs) aralığına sahiptir ve yeterli sürüş marjı sağlar. Ayrıca, sistem güvenilirliğini ve üretim verimini artıran entegre bir ESD koruma diyotu içerir.

【IPD70R600P7S Yapısal Özellikler ve Teknik Yenilikler】

IPD70R600P7S, konvansiyonel MOSFET'lerin performans sınırlamalarını aşmak için süper-junction yapısı kullanan Infineon'un yedinci nesil CoolMOS™ teknolojisini kullanır.

Süper-junction teknolojisi, yüksek kırılma gerilimini korurken, drift bölgesinde iç içe geçmiş p-tipi ve n-tipi sütunlar getirerek daha yüksek doping konsantrasyonları ve daha düşük açık direnç elde eder.

Önceki nesillere kıyasla, P7 serisi titizlikle optimize edilmiş cihaz parametrelerine sahiptir: Eoss ve Qg %50'den fazla azaltılırken, Ciss ve Coss da düşürülmüştür.

Bu optimizasyon, anahtarlama kayıplarını önemli ölçüde azaltarak, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında üstün performans sağlar.

IPD70R600P7S ayrıca, 2kV'yi aşan bir ESD toleransına sahip, elektrostatik deşarj (ESD) koruması için bir Zener diyotunu entegre eder. Bu, üretim sırasında ESD ile ilgili arızaları önemli ölçüde azaltarak, üretim verimini artırır.

【IPD70R600P7S Performans Avantajları】

Ultra Yüksek Enerji Verimliliği

Olağanüstü düşük açık direnç ve gate yükünden yararlanan IPD70R600P7S, ultra düşük kayıplar elde ederek, Energy Star ve AB Ekodizayn Direktifi gibi dünyanın en katı enerji verimliliği standartlarını karşılar.

Üstün Termal Performans

43.1W'lık bir dağıtım gücü ve olağanüstü termal özelliklerle IPD70R600P7S, yüksek sıcaklıklı ortamlarda sürekli çalışmayı sağlar, termal gereksinimleri azaltır ve termal yönetim tasarımını basitleştirir.

Yüksek Güç Yoğunluğu

Hızlı anahtarlama yeteneği ve düşük kayıp özellikleri, güç kaynağı tasarımlarının daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışmasını sağlayarak, transformatörler ve filtreler gibi pasif bileşenlerin boyutunu önemli ölçüde azaltır.

Sistem Maliyet Optimizasyonu

Olağanüstü performansına rağmen, CoolMOS P7 serisi rekabetçi bir maliyet yapısını korur. Çevresel bileşen ve termal yönetim maliyetlerini azaltarak, genel sistem BOM harcamasını düşürür.

【IPD70R600P7S Tipik Uygulama Senaryoları】

IPD70R600P7S, çeşitli güç dönüşüm senaryoları için uygundur ve özellikle flyback topolojilerinde olağanüstü performans sergiler.

Şarj Cihazları ve Adaptörler

IPD70R600P7S, akıllı telefon şarj cihazları ve dizüstü bilgisayar güç adaptörleri gibi tüketici güç ürünleri için idealdir. Yüksek anahtarlama frekansı, daha kompakt ve aerodinamik tasarımlara olanak tanır.

LED Aydınlatma Sürücüleri

LED TV arka ışık sürücülerinde ve genel amaçlı LED aydınlatma güç kaynaklarında, IPD70R600P7S'in yüksek verimliliği ve mükemmel termal performansı, uzun süreli sistem güvenilirliği sağlar.

Ses SMPS

IPD70R600P7S, düşük gürültü özellikleri ses sinyali bütünlüğünü garanti eden profesyonel ses ekipmanları ve ev ses sistemlerindeki anahtarlamalı güç kaynakları için uygundur.

Yardımcı Güç Kaynakları

The IPD70R600P7S endüstriyel güç kaynaklarındaki yardımcı güç devrelerinde kullanılabilir ve kontrol devrelerine ve izleme sistemlerine kararlı ve güvenilir güç sağlar.