Şirket Blog About Mingjiada Electronics Tedarik Infineon IRF6894MTRPBF: 25V N-Channel HEXFET MOSFET, 1.3mΩ Ultra-Düşük Açık Direnç

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. IRF6894MTRPBF yüksek performanslı N-kanal HEXFET güç MOSFET'inin uzun vadeli, istikrarlı tedarikini sağlar.

IRF6894MTRPBF Ürüne Genel Bakış
IRF6894MTRPBF, Infineon Technologies tarafından tanıtılan yüksek performanslı bir N-kanal MOSFET'tir. Bu güç cihazı, model IRF6894MTRPBF, olağanüstü elektriksel performans sağlamak için gelişmiş HEXFET teknolojisini kullanır.

Mingjiada Electronics'in portföyündeki önemli bir ürün olan IRF6894MTRPBF, 1.3mΩ'luk ultra düşük açık direnciyle yaygın pazar tanınırlığı kazanmıştır. 25V'luk bir drain-source voltaj derecesi ile orta ila düşük voltaj uygulamaları için ideal bir seçimdir. IRF6894MTRPBF, DirectFET MX paketini kullanır. Bu benzersiz paket tasarımı sadece termal performansı artırmakla kalmaz, aynı zamanda PCB alanını da azaltır.

IRF6894MTRPBF temel teknik özellikleri şunlardır:
• Drain-Source Voltajı (Vdss): 25V
• Sürekli drain akımı (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• Açık direnç (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A, 10V
• Gate sürücü voltajı: 4.5V ila 10V
• Çalışma sıcaklık aralığı: -40°C ila 150°C (TJ)
• Paket Tipi: DirectFET™ MX Yüzeye Montaj

Detaylı Teknik Özellikler
Üretici: Infineon Technologies
Parça Numarası: IRF6894MTRPBF
Cihaz Tipi: N-kanal Güç MOSFET'i
Teknoloji Platformu: HEXFET®, DirectFET™
Arıza Voltajı (V_DSS): 25V (Minimum)
Açık Direnç (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (tipik)
Sürekli Drain Akımı (I_D): 200A @ T_C=100°C, 320A @ T_C=25°C
Darbe Drain Akımı (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 1.6V ~ 2.5V (Tipik 2.0V)
Gate Sürücü Voltajı (V_GS): Önerilen +10V, Maksimum ±20V
Toplam Gate Yükü (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
Gate-Source Yükü (Q_gs): 12nC
Gate-Drain Yükü (Q_gd): 6nC
Giriş Kapasitansı (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
Çıkış Kapasitansı (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
Ters Transfer Kapasitansı (C_rss): 360pF
Ters Kurtarma Yükü (Q_rr): 120nC (tipik)
Çığ Enerjisi (E_AS): 600mJ (tek darbe)
Çığ akımı (I_AR): 200A
Çalışma sıcaklığı: -55°C ila +175°C (kavşak sıcaklığı)
Paket tipi: DirectFET™ Medium Can
Paket boyutları: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
Pin sayısı: 7+1 (7 fonksiyonel pin + 1 termal ped)
Termal Direnç (R_thJC): 0.5°C/W (Alt) + 1.2°C/W (Üst)
AEC-Q101: Grade 0 Geçti
ESD Derecesi: HBM Sınıf 1C (1000V~2000V)
RoHS Durumu: RoHS3 Uyumlu, Pb-Free
Halojen İçermez: Evet

IRF6894MTRPBF Ürün Özellikleri:
IR'nin yeni nesil silikon teknolojisini kullanır
12V giriş senkron buck uygulamaları için optimum verimlilik sağlar

IRF6894MTRPBF Uygulamalar:
Yeni nesil sunucular, masaüstü bilgisayarlar ve dizüstü bilgisayarlar

Satın Alma Bilgileri
Parça Numarası: IRF6894MTRPBF
Üretici: Infineon Technologies
Cihaz Tipi: N-kanal HEXFET MOSFET
Teknoloji Platformu: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Grade 0 Geçti
RoHS Durumu: RoHS3 uyumlu, Pb-Free
Minimum Sipariş Miktarı: Esnek destek, numuneler mevcuttur
Kullanılabilirlik: Stokta mevcut, aynı gün kargoya verilir
Fiyat Aralığı: Satın alma hacmine göre kademeli fiyatlandırma

IRF6894MTRPBF ile ilgili sorularınız veya satın alma ihtiyaçlarınız için lütfen istediğiniz zaman bizimle iletişime geçin:
Telefon: +86 13410018555
E-posta: sales@hkmjd.com
Anasayfa: https://www.integrated-ic.com/