Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (Mingjiada Electronics), elektronik bileşenlerin profesyonel bir stok dağıtıcısı olarak, uzun süredir gerçek Infineon CoolSiC™ serisi silisyum karbür (SiC) MOSFET'leri tedarik etmektedir. Bunlar arasında, IMZC120R007 (tam model numarası: IMZC120R007M2H) Infineon'un ikinci nesil CoolSiC™ teknoloji platformunun amiral gemisi ürünlerinden biridir. Mingjiada, Shenzhen'de sürekli stok bulundurarak hem küçük partili numuneler hem de büyük hacimli üretimler için hızlı teslimatı desteklemekte ve müşterilere verimli ve güvenilir güç yarı iletken çözümleri sunmaktadır.
I. Ürün Genel Bakışı
IMZC120R007 Infineon Technologies tarafından piyasaya sürülen, CoolSiC™ G2 (ikinci nesil) serisine ait 1200V silisyum karbür (SiC) güç MOSFET'idir. Gelişmiş trench gate teknolojisini kullanan ve Infineon'un SiC alanındaki kapsamlı uzmanlığından yararlanan bu cihaz, son derece düşük açık direnç (RDS(on)) ve ultra yüksek anahtarlama hızları elde ederken, aynı zamanda mükemmel yüksek sıcaklık kararlılığı ve güvenilirliği sunar.
Bu model, geleneksel üç pinli paketlere kıyasla sürüş devresindeki ortak kaynak endüktansını önemli ölçüde azaltan, anahtarlama performansını belirgin şekilde iyileştiren ve anahtarlama kayıplarını azaltan bir TO-247-4 pinli paket (dört pinli Kelvin kaynağı) kullanır, bu da onu özellikle yüksek frekanslı, yüksek verimli güç dönüşüm uygulamaları için uygun hale getirir. Küresel tedarik ağından ve Shenzhen dağıtım merkezinden yararlanan Mingjiada Electronics, çeşitli endüstriyel ve otomotiv sınıfı uygulamaların ihtiyaçlarını karşılamak için gerçek IMZC120R007 cihazlarının stokta bulunmasını sağlar.
II. Temel Özellikler ve Avantajlar
Ultra düşük açık direnç: Tipik değeri 7 mΩ (RDS(on)), maksimum 9 mΩ (25°C'de), iletim kayıplarını önemli ölçüde azaltır ve sistem verimliliğini artırır
Yüksek engelleme gerilimi: 1200 V VDS, yüksek gerilimli bara gereksinimlerini karşılar ve 800 V elektrikli araçlar ve fotovoltaik sistemler için uygundur
Düşük Anahtarlama Kayıpları: SiC malzemesinin mükemmel yüksek frekanslı özellikleri sayesinde, anahtarlama kayıpları eşdeğer özelliklere sahip silikon bazlı IGBT'lerden çok daha düşüktür, bu da daha yüksek anahtarlama frekanslarına (yüzlerce kHz'e kadar) olanak tanır ve pasif bileşenlerin boyutunu azaltır
Geniş Çalışma Sıcaklığı Aralığı: 175°C'ye kadar eklem sıcaklığı, zorlu ortamlarda uzun süreli güvenilirlik gereksinimlerini karşılar
TO-247-4 Paket: Kelvin kaynak pini, sürüş devresindeki ortak kaynak endüktansını ortadan kaldırarak daha hızlı anahtarlama geçişleri ve daha düşük dalgalanma sağlar, böylece gate sürüş güvenilirliğini artırır
Entegre Gövde Diyotu: Düşük ters toparlanma yüküne (Qrr) sahiptir, harici bir serbest tekerlek diyotuna (senkron doğrultma topolojileri için uygun) ihtiyaç duymadan kayıpsız ters iletime olanak tanır
Yüksek Avalanş Direnci: Sistem sağlamlığını artıran sağlam avalanş direnci sunar
Standart Gate Sürüş Gerilimleriyle Uyumlu: Mevcut sürücülerle uyumluluğu sağlayarak 0 V ila 18 V gate sürüşünü destekler (önerilen açma gerilimi 15 V'tur)
AEC-Q101 otomotiv standardına (otomotiv sınıfı modeller için) uygundur veya endüstriyel sınıf güvenilirlik gereksinimlerini karşılar
III. Detaylı Özellikler
IMZC120R007 (IMZC120R007M2H) için temel teknik özellikler şunlardır:
Ürün Tipi: Silisyum Karbür MOSFET
Paket / Muhafaza: PG-TO247-4-U07
Kanal Sayısı: 1 Kanal
Vds – Drain-Kaynak Kırılma Gerilimi: 1,2 kV
Id – Sürekli Drain Akımı: 201 A
Rds On – Drain-Kaynak Açık Direnci: 20 mOhms
Vgs – Gate-Kaynak Gerilimi: -10 V, +25 V
Vgs th – Gate-Kaynak Eşik Gerilimi: 5,1 V
Qg – Gate Yükü: 176 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı: -55 °C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: +175 °C
Pd – Güç Dağılımı: 711 W
Marka Adı: CoolSiC
Yapılandırma: Geliştirme
Düşme Süresi: 33,6 ns
İleri Transkondüktans – Minimum: 60 S
Yükselme Süresi: 21,5 ns
Seri: CoolSiC G2
Transistör Polaritesi: N-Kanal
Transistör Tipi: 1 N-Kanal
Tip: SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikmesi: 76,3 ns
Tipik Açma Gecikmesi: 32,4 ns
IV. Tipik Uygulamalar
1200 V/7 mΩ üstün performansı ile IMZC120R007, özellikle şunları içeren, verimlilik, güç yoğunluğu ve güvenilirlik açısından son derece yüksek gereksinimlere sahip güç dönüşüm sistemleri için uygundur:
Elektrikli Araç Şarj İstasyonları: DC hızlı şarj modüllerinde PFC ve DC-DC aşamaları, yüksek verimli, yüksek güç yoğunluklu tasarımlara olanak tanır
PV İnvertörleri: String invertörlerde MPPT ve invertör aşamaları, sistem verimliliğini artırır ve boyutu azaltır
Enerji Depolama Sistemleri (ESS): Verimli enerji dönüşümüne olanak tanıyan çift yönlü DC-DC dönüştürücüler
Endüstriyel güç kaynakları: Sunucu güç kaynakları, telekomünikasyon güç kaynakları ve elektrokaplama güç kaynakları gibi yüksek güçlü anahtarlamalı güç kaynakları
Araç İçi Şarj Cihazları (OBC) ve DC-DC dönüştürücüler (otomotiv sınıfı güvenilirlik gereksinimlerini karşılar)
Çekiş invertörleri (yardımcı veya ana tahrik, AEC-Q101 uyumluluğu gerektirir)
Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS) ve Aktif Güç Filtreleri (APF)
V. Tedarik ve Hizmetler
Mingjiada Electronics, uzun süredir büyük miktarlarda Infineon IMZC120R007 silisyum karbür MOSFET tedarik etmektedir. Shenzhen depomuz bu ürünlerin sürekli stokunu bulundurmaktadır. %100 gerçek, orijinal ürünleri garanti ediyoruz ve aşağıdaki hizmetleri sunuyoruz:
Esnek Tedarik: Hem küçük partili numune alımlarını hem de büyük hacimli üretim siparişlerini destekler
Hızlı Teslimat: Shenzhen'de stokta; sipariş verildikten sonra 24 saat içinde kargolanır
Küresel Lojistik: Hong Kong ve Shenzhen'deki depo ağlarımızdan yararlanarak yurt içi ve uluslararası nakliyeyi destekliyoruz
En güncel stok bilgisi, fiyatlandırma veya fiyat teklifi talebi için lütfen Mingjiada Electronics web sitesini (www.hkmjd.com) ziyaret edin veya satış ekibimizle iletişime geçin.
İletişim Bilgileri:
Mobil: +86 13410018555
E-posta: sales@hkmjd.com
Adres: Odalar 1239-1241, Guoli Binası, Zhenzhong Yolu, Futian Bölgesi, Shenzhen, Guangdong Eyaleti
Etiketler: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
Turkish
