Şirket Blog About Mingjiada Tedarik Onsemi NVBG080N120SC1 1200V Silisyum Karbür (SiC) MOSFET

Mingjiada Tedarik OnsemiNVBG080N120SC11200V Silisyum Karbür (SiC) MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— ON Semiconductor'ın (onsemi) uzun vadeli tedarikçisiNVBG080N120SC1: D2PAK-7L paketinde 1200V, 80mΩ otomotiv sınıfı silisyum karbür (SiC) MOSFET. Bu cihaz, elektrikli araçlarda (EV/HEV) ve endüstriyel yüksek frekanslı güç kaynaklarında yüksek verimlilik ve yüksek güç yoğunluğuna yönelik katı gereksinimleri karşılamak üzere özel olarak tasarlanmıştır.

I. Ürüne Genel Bakış ve Temel Konumlandırma (NVBG080N120SC1)
NVBG080N120SC1, ON Semiconductor'ın EliteSiC M1 serisine aittir ve N-kanal geliştirme modu güç MOSFET'idir. Geleneksel silikon bazlı cihazlarla karşılaştırıldığında SiC malzemesi, daha düşük direnç ve ultra hızlı anahtarlama hızları sağlar ve bu da onu sistem verimliliğini artırmak için önemli bir bileşen haline getirir.
Temel özellikler: 1200V arıza voltajı, 30A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ve yalnızca 80mΩ'luk tipik açık direnç.
Paket Özellikleri: D2PAK-7L (TO-263-7L) paketi mükemmel termal performans ve bağlantıdan kasaya düşük termal direnç (RθJC) sunarken, 7 pinli tasarım anahtarlama gürültüsünü ve kapı tahrik devrelerini optimize eder.
Uygulama Alanları: Öncelikle yeni enerji araçlarına yönelik yerleşik şarj cihazları (OBC), yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve fotovoltaik invertörler gibi yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarına yöneliktir.

II.NVBG080N120SC1Özellikler:
FET Türü: N-kanalı
Teknoloji: SiC FET (Silikon Karbür)
Tahliye-Kaynak Gerilimi (Vdss): 1200 V
25°C'de Akım – Sürekli Tahliye Akımı (Id): 30 A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maksimum Rds Açık, Minimum Rds Açık): 20 V
Çeşitli Kimlik ve Vgs'de Açma Direnci (Maksimum): 110 mΩ @ 20 A, 20 V
Çeşitli Kimliklerde Vgs(th) (Maksimum): 4,3 V @ 5 mA
Çeşitli Vgs'de (Maks) kapı yükü (Qg): 56 nC @ 20 V
Vgs (Maks): +25 V, -15 V
Çeşitli Vds'de (Maks) giriş kapasitansı (Ciss): 1154 pF @ 800 V
Güç dağıtımı (Maks): 179W (Tc)
Çalışma sıcaklığı: -55°C ila 175°C (TJ)
Montaj tipi: Yüzeye montaj
Tedarikçi cihaz paketi: D2PAK-7
Paket/muhafaza: TO-263-8, D2PAK (7 uç + ped), TO-263CA

III. Temel Özellikler: Beş Temel AvantajNVBG080N120SC1
1. Ultra düşük direnç (RDS(açık) = 80 mΩ)
NVBG080N120SC1, 80 mΩ kadar düşük tipik bir açık dirence sahiptir; bu, açık durumdaki güç kaybını doğrudan azaltarak cihazın daha yüksek verimlilikte çalışmasını sağlarken termal yönetim üzerindeki yükü de en aza indirir. Geleneksel silikon bazlı MOSFET'ler veya IGBT'lerle karşılaştırıldığında, SiC malzemesinin geniş bant aralığı özellikleri, aynı voltaj derecesine sahip cihazların birim alan başına daha düşük direnç elde etmesini sağlar ve bu da onları 1200V yüksek voltaj platformlarında yüksek verimli güç dönüştürme uygulamaları için özellikle uygun hale getirir.
2. Ultra Düşük Geçit Yükü (QG(toplam) = 56 nC)
NVBG080N120SC1'in geçit yükü yalnızca 56 nC'dir, bu da anahtarlama işlemi sırasında gereken sürücü enerjisinin önemli ölçüde azaldığı anlamına gelir. Bu sadece sürücü devresinin tasarım karmaşıklığını ve güç tüketimini azaltmakla kalmaz, aynı zamanda son derece yüksek anahtarlama hızlarına da olanak tanır. Daha hızlı anahtarlama frekansları, sistemin pasif bileşenlerin (transformatörler, indüktörler ve kapasitörler gibi) boyutunu azaltmasına olanak tanıyarak güç yoğunluğunu önemli ölçüde artırır ve genel sistem BOM maliyetini azaltır.
3. Düşük etkili çıkış kapasitansı (Coss = 79 pF)
NVBG080N120SC1, 79 pF kadar düşük tipik bir çıkış kapasitansına sahiptir; bu, anahtarlama işlemi sırasında enerji kaybını azaltmaya yardımcı olur ve anahtarlama verimliliğini daha da artırır. Bu düşük kapasitans özelliği, SiC malzemesinin yüksek frekanslı anahtarlama kapasitesi ile birleştiğinde, anahtarlama kayıplarındaki kapasitif kayıp bileşenini etkili bir şekilde azaltarak, onu özellikle yüksek frekanslı DC-DC dönüşümü ve LLC rezonans devreleri gibi topolojiler için uygun hale getirir.
4. Zorlu Ortamlarda Yüksek Güvenilirlik
NVBG080N120SC1 %100 çığ testinden geçmiştir ve mükemmel dalgalanma bağışıklığı ve sağlamlık sunarak zorlu koşullar altında istikrarlı çalışmayı garanti eder. -55°C ile +175°C arası geniş çalışma bağlantı sıcaklığı aralığıyla aşırı sıcaklık ortamlarında uzun vadede stabil şekilde çalışabilir.
5. Sistem Düzeyinde Olağanüstü Avantajlar
Yukarıda belirtilen elektriksel özelliklere dayanarak NVBG080N120SC1, sistem düzeyinde önemli performans iyileştirmeleri sağlar:
Maksimum verimlilik: Düşük iletim ve anahtarlama kayıplarının kapsamlı optimizasyonu, sistemin %98'i aşan tepe verimliliklerine ulaşmasını sağlar;
Daha yüksek güç yoğunluğu: Daha yüksek anahtarlama frekansları, daha küçük manyetik bileşenlerin ve filtre kapasitörlerinin kullanılmasına olanak tanıyarak sistem boyutunu önemli ölçüde azaltır;
Azaltılmış EMI: Optimize edilmiş anahtarlama özellikleri ve gelişmiş paketleme işlemleri, elektromanyetik paraziti etkili bir şekilde bastırır;
Azaltılmış sistem boyutu: Genel verimlilik ve güç yoğunluğundaki iyileştirmeler, daha küçük bir genel sistem ayak izi ve basitleştirilmiş bir termal tasarımla sonuçlanır.

IV. Tipik Uygulama SenaryolarıNVBG080N120SC1
Elektrikli Araç İçi Şarj Cihazları (OBC): Yüksek voltaj değerinden ve yüksek verimliliğinden yararlanarak, şarj verimliliğini artırmak için PFC güçlendirme aşamasında ve DC-DC izolasyon aşamasında kullanılır.
Yüksek Gerilim DC-DC Dönüştürücüler (EV/HEV): Ana anahtarlama cihazı olarak görev yaparak, yüksek gerilim akü (400V/800V) gerilimini düşük gerilim (12V/48V) sistem gerilimine dönüştürür.
Fotovoltaik İnvertörler ve Enerji Depolama Sistemleri: İndüktör boyutunu azaltmak için yüksek anahtarlama frekansları kullanan, dizi invertörlerdeki güçlendirme devrelerinde kullanılır.
Endüstriyel Güç Kaynakları ve UPS: Yüksek güç yoğunluklu sunucu güç kaynakları ve kesintisiz güç kaynağı (UPS) sistemleri için uygundur.

V. Mingjiada Electronics – Tek Noktadan TedarikçiNVBG080N120SC1
Mingjiada, ON Semiconductor'ın NVBG080N120SC1 1200V silisyum karbür MOSFET'lerinin uzun vadeli stokunu bulundurmaktadır. Hem küçük parti numunelerini hem de büyük hacimli siparişleri destekleyerek orijinal ürünleri geniş stokla tedarik ediyoruz. Etkin bir lojistik sistemine dayanarak hızlı ürün teslimatı sağlıyoruz.
Mingjiada Electronics, entegre devreleri, ayrı cihazları, pasif bileşenleri ve daha fazlasını kapsayan 2 milyon SKU'yu aşan bir stok portföyüyle Shenzhen ve Hong Kong'da çok sayıda depo işletiyor. Ar-Ge testleri, küçük ölçekli üretim ve büyük ölçekli seri üretim de dahil olmak üzere çeşitli satın alma senaryolarına uyacak şekilde standart paketleme, toplu yeniden paketleme ve hızlı sevkiyat hizmetleri sunarak numune siparişlerini, toplu siparişleri ve karışık parti tedarikini destekliyoruz.

En son fiyatları, stok durumunu öğrenmek veya numune istemek içinNVBG080N120SC1, lütfen Mingjiada Electronics web sitesini ziyaret edin (https://www.integrated-ic.com/) ısmarlama bir teklif ve veri sayfası almak için.