Yapay zeka bilgisayar gücüne olan talepdeki patlayıcı artışla birlikte, sunucu güç kaynağı sistemleri 800V HVDC mimarisi yönünde hızla gelişiyor.CoolMOSTM ve CoolSiCTM, yanı sıra ROHM'nin SiC MOSFET'leri ve Microchip'in mSiC TM serisi, AI sunucu güç kaynağı tasarımı için kapsamlı güç yarı iletken çözümleri sunmaktadır.
I. Yapay Zeka Sunucusu Güç Mimarlığının ve Güç Cihaz Gereksinimlerinin Evrimi
Yaratıcı yapay zeka modeli eğitimi ve çıkarım kümelerinin güç tüketimi şimdi megavat seviyesini aştı.Kabin başına güç geleneksel 10 kW'dan 100 kW'a veya daha yüksek bir oranda hızla artıyorBu dönüşüm, güç MOSFET'lerine benzeri görülmemiş talepler getiriyor: daha düşük durumdaki kayıplar, daha büyük dalgalanmaya dayanabilirlik, daha yüksek termal istikrar ve üstün anahtarlama özellikleri.
Mevcut AI sunucu güç kaynağı mimarileri üç farklı teknolojik yol boyunca gelişiyor: akım azaltma ile adım atma (12V/48V'den 400V/800V yüksek voltajlı DC'ye geçiş),Dönüştürme aşamalarının sayısının azaltılması (çok aşamalı dönüşümden 800V → 48V → 12V → Çekirdek'e basitleştirme)Bu değişiklikler silikon karbür (SiC) ve silikon bazlı süper bağlantı MOSFET'leri kritik bileşenler haline getirdi.
II. Mingjiada Electronics: Uzman bir güç MOSFET tedarikçisi
1996 yılında kurulan Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., dünya çapında ünlü yetkili bağımsız elektronik bileşen dağıtımcısıdır.Şirketin Hong Kong'da şubeleri var., Japonya, Rusya ve diğer yerlerde. Şirket ISO 9001: 2014 uluslararası kalite yönetim sistemi sertifikası ve ISO 14001: 2014 çevre yönetim sistemi sertifikası aldı,ve 500'den fazla ünlü üreticinin ürünlerini dağıtmakla uzmanlaşmıştır..
Güç cihazları alanında, Mingjiada Electronics, Infineon, ROHM ve Microchip gibi önde gelen uluslararası yarı iletken üreticileriyle uzun vadeli, istikrarlı ortaklıklar kurdu.Ürün kalitesi ve tedarik güvenilirliği.
III. Infineon Power MOSFET Serisi'nin Ayrıntılı Genel Görünümü
1. OptiMOSTM 7 Serisi Cloud Computing için tasarlanmıştır
Infineon OptiMOSTM 7 serisi, özel uygulama gereksinimlerine göre uyarlanmış bir uygulama odaklı tasarım felsefesini benimser.Bu serideki geçiş optimizasyonu ürünleri, gelecekteki veri merkezleri için özel olarak tasarlanmıştır., sunucular ve telekomünikasyon ekipmanları,Bir Form of Performance (FOM) % 25'e kadar iyileştirme ve önemli ölçüde Source Down ambalajının kullanımı ile termal yönetim yeteneklerini geliştiren.
OptiMOSTM 7 25V MOSFET'ler öncelikle ara otobüs dönüştürücü (IBC) uygulamalarına yöneliktir ve AI çekirdek güç kaynaklarını desteklemek için 48V voltaj dönüşümü için uygundur.Ürün portföyü iki ana teknik kategoriye ayrılmıştır.: 175°C'ye kadar bir ısı ile sert ve yumuşak anahtarlama.
2. OptiMOS TM 6 Serisi DC-DC dönüşüm verimliliği için yeni bir standart belirlemek
Kompakt bir 5x6 mm2 çift taraflı ısı dağıtıcı pakette yer alan Infineon'un OptiMOS TM 6 80V MOSFET'leri, önde gelen işlemci üreticilerinden gelen AI sunucu platformlarının IBC katmanına entegre edildi.Uygulama testleri verimliliğinin yaklaşık 0 olduğunu göstermektedir.Önceki çözümlere göre yüzde 4,4 daha yüksek, bu da yaklaşık 4,3 W/kW yük tasarrufu anlamına gelir.
Bu çözümü 2.000 raflı hiper ölçekli bir veri merkezinde uygulamak, saatte 1,2 MWh'dan fazla enerji tasarrufu sağlayabilir.,İletişim kaybını azaltarak enerji verimliliğini artırmak, iki taraflı ısı dağıtım paketi ise termal yönetimi iyileştirmeye ve güç yoğunluğunu artırmaya yardımcı olur.
3. CoolMOSTM 8 Serisi Super-Junction MOSFET Teknolojisi için Benchmark
Infineon'un CoolMOSTM 8 süper bağlantı MOSFET'leri, Mimi Electric'in 5.5 kW AI sunucu güç kaynağının Titanium Plus verimlilik sertifikasını elde etmesini sağladı.CoolMOSTM 8 kapı şarjını yüzde 18 azaltıyor.Ürün piyasadaki en hızlı kapanma süresine sahiptir.Termal performansı önceki nesil ile karşılaştırıldığında yüzde 14 ila yüzde 42 oranında arttı..
CoolMOSTM 8, hızlı bir gövde diodesini entegre ederek, düşük güçlü anahtarlama güç kaynaklarından, sunucular gibi yüksek güçlü sistemlere kadar çeşitli uygulamalarda yaygın olarak kullanılmasını sağlar.Telekomünikasyon ekipmanları ve katı durumlu devre kesiciler.
4. CoolSiCTM MOSFET G2 Serisi
Infineon'un ikinci nesil 650V CoolSiCTM MOSFET, AI sunucuları için yüksek voltajlı güç kaynaklarında temel bir bileşendir.CoolSiC MOSFET IMT65R033M2H etrafında inşa edildi, %99'u aşan bir dönüşüm verimliliği elde eder.
650V'lik bir arıza voltajı, istikrarlı bir gövde diodu, 175°C'lik bir bağlantı sıcaklığı ve.XT ambalaj teknolojisi ile,Bu ürün, gerilim pikleri gibi zorlu çalışma koşullarında olağanüstü güvenilirliği göstermektedir., yüksek dv/dt geçici ve sürekli ısı döngüsü.
IV. ROHM SiC MOSFET Serisi
ROHM'in 750V SiC MOSFET'i, SCT4013DLL, ±400V güç kaynağı mimarisi altında çalışan güç kaynağı ünitelerinde yapılandırıldığı AI sunucu güç kaynağı BBU'larında benimsenmiştir.Bu ürün, maksimum 175 °C'lik bir birleşim sıcaklığı ile mükemmel yüksek sıcaklık dayanıklılığını sunar., yükselen voltaj ve güç yoğunluğu nedeniyle ısı üretimi artan BBU'lar içinde bile istikrarlı çalışmayı sağlar.
Bir sonraki nesil 800 V DC güç kaynağı mimarilerinde, BBU'nun iç pil paketine besleme voltajının yaklaşık 560 V olduğu yerlerde, ROHM'lerin 750 V SiC MOSFET'leri de kullanılabilir.ROHM, beyaz kitabı yayınladı., AI sunucu güç kaynağı tasarımı için kapsamlı bir çözüm sağlıyor.
V. Microchip mSiCTM Serisi
Mikroçiplerin 3.3 kV HV-D3 mSiC güç modülü, AI veri merkezlerindeki katı durum transformatörü (SST) uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.3 kV silikon karbid MOSFET ve endüstri standardı 62 mm paket içinde bir Schottky diyotu, yüksek verimli güç aktarımını doğrudan orta voltajlı şebekeden sunucu rafına sağlıyor.
Mikroçiplerin mSiC MOSFET teknolojisi, geniş bir sıcaklık aralığında son derece rekabetçi RDS ((on) istikrarını korur.13'e bağlandığında gerekli seri bileşen sayısı önemli ölçüde yaklaşık yarıya düşürülür..8 kV veya 34.5 kV şebekeleri. Modül 100 ila 300 A arasında uygulamaları destekler ve katı durum transformatörleri, orta gerilimli motor tahrikleri ve endüstriyel güç sistemleri için uygundur.
VI. Yapay zeka sunucu güç kaynakları için tipik uygulama senaryoları
IBC Ara Büs Değiştirme: OptiMOSTM 7/6 Yüksek verimlilikli DC-DC dönüşümü, güç yoğunluğunun arttırılması
PFC/LLC Birincil taraf: CoolMOSTM 8 Titanyum düzeyinde verimlilik, hızlı geçiş
Yüksek Voltajlı BBU: CoolSiCTM G2 %99+ verimlilik, yüksek güvenilirlik
800V HVDC: ROHM SiC MOSFET'ler Yüksek sıcaklık direnci, düşük kayıplar
Katı durumlu transformatörler: Mikroçip mSiCTM Orta gerilimli doğrudan dönüşüm, dönüşüm aşamalarının azalan sayısı
Sonuçlar
Yapay zekâ hesaplama altyapısının hızlı bir şekilde genişlemesiyle birlikte, sunucu güç kaynakları güç yoğunluğu, dönüşüm verimliliği ve yüksek sıcaklık güvenilirliği açısından son derece sıkı gereksinimlerle karşı karşıyadır.Infineon OptiMOSTM, CoolMOSTM ve CoolSiCTM, ayrıca Mingjiada Electronics tarafından tedarik edilen ROHM SiC MOSFET ve Microchip mSiCTM serileri,Yüksek enerji verimli AI sunucu güç kaynakları inşa etmek için önemli seçimler haline geldi, önde gelen teknik performansları ve istikrarlı tedarik yetenekleri sayesinde.
Daha fazla ürün bilgisi veya bir teklif talep etmek için lütfen Mingjiada Electronics web sitesini ziyaret edin (www.hkmjd.com) veya satış ekibimizle iletişime geçin.
Bizimle İletişim
Cep telefonu: +86 13410018555
E-posta: sales@hkmjd.com
Adres: Oda 1239 ′′1241, Guoli Binası, Zhenzhong Yolu, Futian Bölgesi, Shenzhen
İlgili kişi: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753