Şirket Blog About ST STL26N60DM6 Yüksek Gerilimli N-Kanal 600V 15A MDmesh DM6 Güç MOSFET Transistörleri

ST STL26N60DM6 Yüksek Gerilimli N-Kanal 600V 15A MDmesh DM6 Güç MOSFET Transistörleri

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. elektronik bileşenlerin küresel çapta tanınan bir distribütörüdür ve STL26N60DM6 yüksek gerilimli N-kanal MOSFET transistörünü tedarik etmektedir. Gelişmiş MDmesh DM6 teknolojisini kullanarak, 600V yüksek gerilimli uygulamalarda üstün anahtarlama performansı ve enerji verimliliği sunar.

STL26N60DM6 yüksek gerilimli N-kanal 600V, 15A güç MOSFET'i, elektrikli araç şarj istasyonları, telekomünikasyon ekipmanları güç dönüştürücüleri ve güneş enerjisi invertörleri gibi yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için özellikle uygundur.

【MDmesh DM6 Teknolojisinin Öne Çıkan Özellikleri】

MDmesh DM6 serisi, yüksek verimli dönüştürücüler ve köprü topolojileri için derinlemesine optimize edilmiş, modern yüksek gerilimli güç MOSFET teknolojisinin en üst noktasını temsil eder.

Önceki nesillere kıyasla, DM6 teknolojisi, azaltılmış kapı yükü ve üstün anahtarlama karakteristiklerinin yanı sıra, birim alan başına önemli ölçüde iyileştirilmiş açık direnç sunar.

Bu teknolojinin temel avantajı, optimize edilmiş kapasitans konfigürasyonu ve özel ömür bastırma işleminde yatmaktadır.

Bu, DM6 serisi MOSFET'lerin çoklu faydaları birleştirmesini sağlar: düşük kapı yükü (Qg), düşük geri kazanım yükü (Qrr) ve kısa geri kazanım süresi (trr), bu da onları özellikle yüksek frekanslı anahtarlama devreleri için uygun hale getirir.

MDmesh DM6 cihazları, aşırı çalışma koşullarında güvenilirliği sağlamak için %100 çığ testine tabi tutulur ve olağanüstü dv/dt toleransı için Zener koruması içerir.

Bu özellikler, STL26N60DM6 gibi DM6 serisi ürünleri köprü topolojileri ve ZVS faz kaydırmalı dönüştürücüler için ideal hale getirir.

【STL26N60DM6 Ürüne Genel Bakış】

STL26N60DM6, PowerFlat™ (8x8) HV yüzeye montaj paketinde bulunan bir N-kanal güç MOSFET'tir.

600V drenaj-kaynak voltajı için derecelendirilmiş ve 15A sürekli drenaj akımını işleyebilen, 25°C'de 110W'lık maksimum güç dağılımı sağlar.

STL26N60DM6 sadece 215 miliohm (7.5A akım ve 10V kapı voltajında) maksimum açık direnç sergiler.

Bu düşük açık direnç, doğrudan daha yüksek enerji verimliliğine ve azaltılmış termal çıkışa dönüşür, bu da yüksek güçlü uygulamalarda kararlı çalışmayı sağlar.

MOSFET, 4.75V'luk (250μA test koşullarında) maksimum kapı eşik voltajına ve ±25V'luk bir kapı çalışma voltajı aralığına sahiptir.

STL26N60DM6, 24 nC'lik (10 V kapı voltajında) bir kapı yükü (Qg) ve 940 pF'lik (100 V drenaj-kaynak voltajında) maksimum giriş kapasitansına (Ciss) sahiptir.

Bu parametreler, STL26N60DM6 hızlı anahtarlama sağlarken, sürücü devresi tasarımını kolaylaştırır.

STL26N60DM6, -55°C ila 150°C arasında geniş bir bağlantı sıcaklığı aralığında çalışır ve çeşitli zorlu çevre koşullarına uyum sağlar.

【STL26N60DM6 Teknik Avantajları ve Özellikleri】

STL26N60DM6'nın en belirgin avantajlarından biri, hızlı geri kazanım gövde diyot özellikleridir.

Önceki nesillere kıyasla, DM6 teknolojisi, son derece düşük anahtarlama kayıplarını korurken, birim alan başına açık dirençte önemli bir azalma sağlar.

Cihaz ayrıca, 100V/ns'lik bir tepe diyot geri kazanım voltajı eğimi ve eşit olarak 100V/ns'ye ulaşan MOSFET dv/dt dayanımı ile olağanüstü dv/dt sağlamlığı sergiler.

STL26N60DM6 aşırı çalışma koşullarında güvenilirliği sağlamak için %100 çığ testine tabi tutulur.

Bir Zener koruma yapısı ek bir güvenlik bariyeri sağlarken, ek bir sürücü kaynağı pimi anahtarlama performansını optimize eder.

Bu özellikler toplu olarak STL26N60DM6'yı, özellikle uygulamalarda ve topolojilerde yüksek dinamik dv/dt'nin işlenmesini gerektiren, en zorlu yüksek verimli uygulamalar için ideal bir seçim haline getirir.

【STL26N60DM6 Uygulama Alanları】

STL26N60DM6, özellikle yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlamanın kritik olduğu çok çeşitli güç anahtarlama uygulamaları için uygundur.

Elektrikli araç şarj istasyonlarında, STL26N60DM6'nın yüksek gerilim yeteneği ve hızlı anahtarlama özellikleri, onu güç dönüştürme bölümü için ideal bir seçim haline getirir.

Telekomünikasyon ekipmanları veya veri merkezi güç dönüştürücüleri için, STL26N60DM6'nın yüksek verimliliği ve sağlamlığı, kararlı sistem çalışmasını sağlar.

Güneş enerjisi invertör uygulamalarında, STL26N60DM6'nın hızlı geri kazanım diyot özellikleri, gelişmiş enerji dönüşüm verimliliğine katkıda bulunur.

STL26N60DM6 özellikle, tam köprü ve yarım köprü konfigürasyonları ve sıfır voltaj anahtarlamalı (ZVS) faz kaydırmalı dönüştürücüler gibi, dinamik dv/dt'nin kararlı, güvenilir diyot kullanımını gerektiren topolojiler için uygundur.

Ayrıca, STL26N60DM6, mühendislere sistem güvenilirliğini korurken katı enerji verimliliği standartlarını karşılayan bir çözüm sunarak, çeşitli yüksek verimli anahtarlamalı mod güç kaynağı tasarımlarında kullanılabilir.