Şirket Blog About Tedarik Mikroçip MOSFET Ürünü: SiC MOSFET'ler, RF MOSFET'ler, Güç MOSFET'leri

Mikroçip MOSFET'i tedarik et Ürün: SiC MOSFET'ler, RF MOSFET'ler, Güç MOSFET'leri

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Elektronik bileşenlerin dünya çapında önde gelen tedarikçisi olarak, geniş endüstri deneyiminden ve küresel tedarik zinciri ağından yararlanarak, önce kalite felsefesine bağlı kalır.makul fiyatlar, hızlı teslimat ve müşteri odaklı hizmet.Şirket, müşterilere çeşitli elektronik bileşen ürünleri için tek nokta tedarik hizmeti sunmak için tedarik zinciri yönetimini sürekli olarak optimize ediyor..

Ana ürünler şunlardır:5G çipleri, yeni enerji IC'leri, IoT IC'leri, Bluetooth IC'leri, araç ağ IC'leri, otomotiv sınıfı IC'ler, iletişim IC'leri, yapay zeka IC'leri vb.Sensör IC'leri, mikro denetleyici IC'ler, alıcı IC'ler, Ethernet IC'leri, WiFi çipleri, kablosuz iletişim modülleri, konektörler ve diğer elektronik bileşenler.

Temel Rekabetçi Avantajlar:

Küresel Tedarik Ağı: Şirketin Shenzhen ve Hong Kong gibi bölgelerde şubeleri ve depolama merkezleri var ve küresel bir tedarik ve dağıtım ağı kurdu.Bu stratejik düzenleme, istikrarlı tedarik zincirlerini sağlar ve teslimat sürelerini önemli ölçüde azaltır, 24 saat içinde yerel olarak gönderilebilecek acil siparişlerle.

Kapsamlı Envanter Sistemi: Şirket, çeşitli ürün türleri için bol stok sağlayarak aynı zamanda vadeli siparişleri destekleyerek 2 milyondan fazla ürün modelinin envanterini sürdürmektedir.

Kalite güvencesi: Tüm tedarik edilen ürünler, % 100 orijinallerini garanti eden yetkili kanallar üzerinden satın alınır ve tam orijinal seri numaraları ve uygunluk belgeleri sunulur.Sahte veya standart dışı ürünlerin riskini temelden ortadan kaldırmak.

Silikon Karbid (SiC) MOSFET Ürünleri ve Teknik Avantajları

Üçüncü nesil yarı iletken malzemelerinin temsilci bir ürünü olarak, silikon karbid (SiC) MOSFET'ler güç elektroniği alanının tasarım manzarasında devrim yaratıyor.Mikroçip'in SiC MOSFET serisi, olağanüstü performans parametreleri ve güvenilirliği ile yeni enerji araçları, fotovoltaik enerji üretimi,ve endüstriyel güç kaynakları.

Voltaj kapsamı açısından, Microchip'in SiC MOSFET'leri, çeşitli uygulama senaryolarının engelleme voltaj gereksinimlerini karşılayarak 650V, 1200V ve 1700V'nin tam voltaj aralığını kapsar.650V serisi, sunucu güç kaynakları ve elektrikli araç yükleyicileri (OBC) gibi orta ve yüksek gerilim uygulamaları için özellikle uygundur.1200V serisi fotovoltaik inverterler ve endüstriyel motor tahrikleri için idealdir.1700V serisi, öncelikle demiryolu transit ve akıllı şebekeler gibi ultra yüksek voltajlı uygulamalara yöneliktir..

Ana teknik parametreler: Mikroçip SiC MOSFET'ler son derece düşük yanma direnci (RDS ((on)) ve mükemmel anahtarlama özelliklerine sahiptir.Yanma direnci 80mΩ kadar düşük olabilir., iletkenlik kayıplarını önemli ölçüde azaltır; aynı zamanda, anahtarlama hızı geleneksel silikon tabanlı MOSFET'lerden birkaç kat daha hızlıdır ve anahtarlama kayıplarını büyük ölçüde azaltır.Bu özellikler, genel sistem verimliliğinin %3-%5 oranında iyileştirilmesini sağlar., enerji hassas uygulamaları için önemli bir ekonomik değer sunuyor.

Çeşitli Paketleme Seçenekleri: Mikroçip SiC MOSFET'ler, farklı termal yönetim ve alan gereksinimlerini karşılamak için TO-247, D2PAK ve DFN dahil olmak üzere birden fazla paketleme seçeneği sunar.SiC güç modülü ürünleri birden fazla SiC MOSFET ve diyotları tek bir pakete entegre ediyor, müşterilerin tasarım ve montaj süreçlerini önemli ölçüde basitleştiren yarı köprü veya tam köprü topolojileri oluşturur.

SiC cihazlarının bir diğer önemli avantajı da termal performansıdır.SiC MOSFET'lerin daha yüksek bağlantı sıcaklıklarında (genellikle 175°C veya 200°C'ye kadar) istikrarlı çalışmasını sağlayan, böylece termal yönetim sistemlerinin tasarım karmaşıklığını ve maliyetini azaltır.

Güvenilirlik sertifikası açısından, Microchip'in SiC MOSFET ürün serisi AEC-Q101 otomotiv sınıfı sertifikasını geçti.ve bazı modeller de endüstriyel sınıf JEDEC standartlarına uyuyor, zorlu ortamlarda uzun süreli istikrarlı çalışmayı sağlar.

RF MOSFET Ürün Serisi ve Uygulama Senaryoları

Kablosuz iletişim ve RF uygulamaları alanında, Microchip'in RF MOSFET ürün hattı, olağanüstü yüksek frekans performansı ve istikrarlı güç çıkışı özellikleriyle,Ana istasyon ekipmanları gibi yüksek seviye uygulamalar için ideal bir seçimdir.Bu cihazlar özellikle yüksek frekanslı sinyal amplifikasyonu için optimize edilmiştir.Yüksek doğrusallığı korurken mükemmel güç ekleme verimliliği (PAE) sağlar.

Mikroçip'in RF MOSFET'leri esas olarak iki teknik kategoriye ayrılır:

LDMOS RF güç transistörleri: Bu cihazlar, lateral difüzyon metal-oksit-yarım iletken (LDMOS) teknolojisini kullanarak, 30 MHz ile 3,5 GHz arasında frekanslarda çalışır.Özellikle baz istasyonu güç güçlendirici uygulamaları için uygun hale getirirTipik ürünler arasında Microchip'in MRF serisi bulunur. Bu, 2.6GHz'de 17dB'lik bir güç kazancı ile 120W doymuş çıkış gücü sağlar.4G/5G makro baz istasyonu güç güçlendirici için temel bileşen haline getirir.

VHF/UHF RF MOSFET'leri: Özellikle 30MHz'den 1GHz'e kadar bir frekans aralığı olan çok yüksek frekans (VHF) ve ultra yüksek frekans (UHF) bantları için tasarlanmıştır.Bu cihazlar askeri iletişimde yaygın olarak kullanılıyor.Bu cihazlar 400MHz frekans bandında 50W çıkış gücü sağlayabilir.Üçüncü sıra kesme noktası (OIP3) 50dBm kadar yüksek, yüksek sadakatli sinyal iletimini sağlar.

Paketleme açısından, Microchip'in RF MOSFET'leri öncelikle seramik ambalaj (SOT-89, SOT-539) ve plastik ambalaj (TO-220, TO-270 gibi) kullanır.Yüksek frekanslı performans gereksinimlerinin termal yönetim ihtiyaçlarıyla ve maliyet düşünceleriyle dengelenmesi.

5G baz istasyonu uygulamaları, RF MOSFET'ler için önemli bir büyüme alanını temsil etmektedir.Güç cihazlarının doğrusallığı ve verimliliğine daha yüksek talepler yapılırMicrochip'in yeni RF MOSFET'i, daha iyi yük eşleştirmesi ve termal olarak geliştirilmiş ambalajlama sayesinde 3,5 GHz frekans bandında %45'lik bir güç artı verimliliği elde ediyor.Önceki nesil ile karşılaştırıldığında yaklaşık% 8'lik bir iyileşme, üs istasyonu operasyonları için enerji maliyetlerini önemli ölçüde düşürür.

Güvenilirlik tasarımı açısından, Microchip'in RF MOSFET'i birkaç yenilikçi teknolojiyi içerir:

Optimize edilmiş kaynak kurşun bağlama düzeni parazitik indüktansı azaltır

Geliştirilmiş pasifleştirme katmanı yapısı nemli ortamlarda istikrarını artırır

Geliştirilmiş termal arayüz malzemesi, bağlantı-kaza termal direnci (RthJC) %15 azaltır

Bu iyileştirmeler, cihazın yüksek voltajlı ayakta dalga oranı (VSWR) koşullarında istikrarlı bir şekilde çalışmasını ve baz istasyonu anten ucundaki karmaşık impedans ortamına adapte olmasını sağlar.

Güç MOSFET ürün hattı ve teknik özellikleri

Elektronik güç sistemlerindeki çekirdek anahtarlama cihazı olarak, güç MOSFET'lerinin performansı tüm güç kaynağı sisteminin verimliliğini ve güvenilirliğini doğrudan etkiler.Microchip'in güç MOSFET ürün hattı, düşük gerilimden yüksek gerilimye kadar tüm çözümleri kapsar., ve standarttan otomobil sınıflarına kadar, endüstriyel güç kaynaklarının, motor tahriklerinin, tüketici elektroniklerinin ve daha fazlasının çeşitli uygulama ihtiyaçlarını karşılıyor.

Kapsamlı voltaj kapsamı, Microchip'in güç MOSFET'lerinin temel bir özelliğidir ve üç ana tip olarak sınıflandırılabilir:

Düşük voltajlı MOSFET'ler (30V ̇ 100V): Gelişmiş hendek geçidi teknolojisini kullanarak, açıklık direnci (RDS ((on)) 1mΩ'dan daha düşük olabilir,Özellikle senkroni düzeltme ve DC-DC dönüştürme uygulamaları için uygun hale getirirTipik modeller arasında Microchip'in sadece 0.77mΩ'luk bir 40V / 100A'daki yanıt direncini elde eden ve iletkenlik kaybını önemli ölçüde azaltan MCP serisi yer almaktadır.

Orta-yüksek voltajlı MOSFET'ler (150V~800V): Süper Junction teknolojisine dayanan bu cihazlar mükemmel bir değer elde eder (FOM = RDS(on) × Qg),Güç kaynaklarını ve fotovoltaik invertörleri değiştirmede son derece iyi performans gösterirÖrneğin, Microchip'in MCH serisi 600V cihazları, geleneksel MOSFET'lere kıyasla yaklaşık% 30 oranında anahtarlama kayıplarını azaltan yenilikçi bir şarj dengeleme yapısını kullanır.

Otomobil sınıfı MOSFET'ler: AEC-Q101 standartlarına göre sertifikalandırılmış olan bu cihazlar, daha iyi bir çığ dayanma yeteneği ve sıcaklık döngüsü güvenilirliği sunar.Yeni enerji taşıtlarında elektrikli tahrik sistemleri ve yüklü şarj cihazları (OBC) gibi kritik uygulamalar için uygun hale getirmek.

Çeşitli paketleme seçenekleri, çeşitli uygulama gereksinimlerini karşılar.Geleneksel TO-220 ve TO-247'den gelişmiş PQFN ve DirectFET'eBunlardan biri, bakır klip ambalajlama teknolojisi (TOLL-8 gibi) geleneksel tel bağlamasını bakır plaka bağlantıları ile değiştirir.ambalaj direncini % 50 ve termal direncini % 30 azaltmak, yüksek akım uygulamalarında performansı önemli ölçüde arttırır.

Dönüştürme özellikleri açısından, Mikroçip güç MOSFET'leri optimize edilmiş geçit yapısı ve çip düzeni ile aşağıdakileri elde eder:

30nC'nin altındaki bazı modeller ile çok düşük geçit yükü (Qg), tahrik kayıplarını azaltır

Optimize edilmiş ters geri kazanım yükü (Qrr), özellikle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için uygundur

PWM kontrolünün hassasiyetini artıran 1nS kadar düşük anahtarlama süreleri

Bu özellikler, Mikroçip güç MOSFET'lerine sunucu güç kaynakları ve endüstriyel invertörler gibi yüksek frekanslı, yüksek verimlilikli uygulamalarda açık bir avantaj sağlar.