Şirket Blog About IGOT60R070D1AUMA1 N-Kanal 600 V 31A ((Tc) 125W ((Tc) PG-DSO-20-87

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. tedarik MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N kanalı 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-87

Üretici: Infineon Technologies

Serisi: CoolGaNTM

FET Tipi: N-Kanal

Teknoloji: GaNFET (galyum nitrit)

Çıkış kaynağı voltajı (Vdss): 600 V

25°C'de akım - Sürekli akış (Id): 31A (Tc)

Farklı Id'lerde Vgs ((th) (max): 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((th) (max): 1,6V @ 2,6mA çeşitli Id'lerde

Farklı Vds'lerde (max): 380 pF @ 400 V

Güç dağılımı (Max): 125W (Tc)

Çalışma sıcaklığı: -55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj Tipi: Yüzey Montajı

Tedarikçi Cihaz Paketi: PG-DSO-20-87

Paket / Ev: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Genişliği)

Tanıtım

CoolGaN ürün ailesi için hedef uygulamalar gelişmiş (normal olarak kapalı) HEMT cihazları gerektirir.Tipik güç dönüştürme uygulamalarında daha fazla avantaj sağlayanlar, çünkü çalışmak için daha az güç gerektirirler.CoolGaN HEMT cihazlarının operasyonel avantajlarının çoğu, ultra yüksek frekans hızlarında geçiş yapma yeteneklerinden kaynaklanmaktadır.Ama bu, paket bağlantılarının parazit dirençinden etkilenebilecek bir özelliktir.Bu nedenle, CoolGaN cihazları delikli ambalaj yerine SMD (yüzey montaj cihazı) teknolojisi kullanılarak paketlenir.

CoolGaN teknolojisi, ESD koruma diyotlarının "HEMT transistörleri için aynı üretim süreci" kullanarak entegrasyonuna izin verir.GaN ve AlGaN katmanları, silikon substrat üzerinde epitaksyal çöküntü yoluyla elde edilir.Geliştirilmiş güç GaN transistörleri p-HEMT yapısına sahiptir. Yeni ve benzersiz alan plaka yapıları metal katmanlarında işleme alınır.

Eğer ilgileniyorsanız, lütfen Bay Chen ile telefonla temasa geçin:

Tel: +86 13410018555

E-posta: sales@hkmjd.com

Şirket web sitesi:www.hkmjd.com