Şirket Blog About Güç Modülleri: IGBT Modülleri, MOSFET Modülleri, Akıllı Güç Modülleri, SiC Modülleri

Güç Modülleri: IGBT Modülleri, MOSFET Modülleri, Akıllı Güç Modülleri, SiC Modülleri

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Profesyonel bir elektronik bileşen tedarikçisi olup, “müşterilere hizmet etmek, müşterilere fayda sağlamak” amacına bağlıdır.tedarik zinciri yönetiminin sürekli optimizasyonu ve ürün hatlarının genişletilmesi yoluyla, elektronik bileşenler dağıtım alanında küresel bir referans şirketi haline geldi.

Ana ürünler5G çipleri, yeni enerji IC'leri, IoT IC'leri, Bluetooth IC'leri, Telematik IC'leri, otomotiv sınıfı IC'ler, iletişim IC'leri, AI IC'leri, bellek IC'leri, sensör IC'leri, mikrodenetleyici IC'leri, alıcı IC'leri, Ethernet IC'leri,WiFi çipleri, kablosuz iletişim modülleri, konektörler ve diğer elektronik bileşenler Tedarik avantajı

Tedarik Avantajı

Dev bir stok sistemi: Şirketin askeri, endüstriyel,İletişim ve her türlü soğuk ve sıcak yüksek teknoloji bileşenleri, müşterilerin acil ihtiyaçlarına hızlı bir şekilde yanıt verebilir, müşterinin Ar-Ge ve üretim döngüsünü önemli ölçüde kısaltabilir.

Sıkı kalite güvencesi: tedarik edilen tüm bileşenler orijinal üreticilerden veya yetkili kanallardan gelir ve tam parti izlenebilirliği ve garanti hizmetleri sunar.Şirket ISO9001'i sıkı bir şekilde uyguluyor.:2014 Her bir ürünün güvenilirliğini ve tutarlılığını sağlamak için kalite yönetim sistemi.

Etkili lojistik ağı: Dünyanın dört bir yanındaki şubelerimiz ve lojistik ortaklarımızla 1-3 günlük hızlı teslimat elde edebiliyoruz ve 1 parça kadar küçük esnek kaynak modelini destekliyoruz.Bu verimli tedarik zinciri yeteneği, özellikle Ar-Ge aşamasındaki küçük parti gereksinimleri ve acil sipariş işleme için uygundur..

IGBT modülleri: yüksek güç yoğunluğu ve güvenilirliğin mükemmel bir kombinasyonu

İzole Kapı Bipolar Transistör (IGBT) modülleri, modern güç elektronik sistemlerinin temel cihazları olarak, orta ve yüksek güç uygulamaları alanına hakimdir.ON'un IGBT modülleri düşük kaybı ile bilinir, yüksek anahtarlama frekansı ve güçlü dayanıklılık, ve elektrikli motor tahrikleri, fotovoltaik invertörler, kesintisiz güç kaynakları (UPS) gibi kilit ekipmanlarda yaygın olarak kullanılır.ve endüstriyel frekans dönüştürücülerBu modüller, genel sistem verimliliğini önemli ölçüde artırarak iletkenlik ve anahtarlama kayıpları arasında optimum bir dengeyi elde etmek için gelişmiş Trench Field Stop teknolojisini kullanır.

ON IGBT modülünün teknik avantajları esas olarak üç açıdan yansıtılır: Birincisi, ince bir hendek kapısı yapısını benimser,Bu durumdaki gerilim düşüşünü (VCE ((sat)) önemli ölçüde azaltır ve açık durumdaki güç kaybını azaltır.İkincisi, alan sonlandırma katmanının optimize edilmiş tasarımı, modülün daha hızlı anahtarlama hızına ve daha düşük anahtarlama kaybına sahip olmasını sağlar, bu da yüksek frekanslı uygulama senaryoları için uygundur.Ve son olarak..., modül, sistemin genel verimliliğinin uygulanmasını kolaylaştıran bir iç sıcaklık sensörü ve akım algılama fonksiyonunu entegre eder.IGBT modülleri, farklı güç seviyelerindeki uygulama ihtiyaçlarını karşılamak için 600V'den 1700V'ye kadar gerilim dereceleri ve 30A'dan yüzlerce ampere kadar akım kapasiteleri ile mevcuttur..

MOSFET Modülleri: Yüksek Hızlı Değişim ve Yüksek Verimlilikli Dönüştürme için İdeal

Metal oksit-yarı iletken alan etkisi tranzistörü (MOSFET) modülleri, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında benzersiz avantajlar göstermektedir.Otomobil elektronikleri, ve endüstriyel kontrol sistemleri, mükemmel anahtarlama performansları ve düşük direnç özellikleri nedeniyle.modüler paket daha yüksek güç yoğunluğu sağlar, daha iyi termal performans ve orta ve yüksek güç uygulama senaryoları için özellikle uygun olan basitleştirilmiş sistem tasarımı.

ON MOSFET modülünün teknik özellikleri esasen dört açıdan yansıtılır:Super Junction (Super Junction) teknolojisine sahip MOSFET modülü, yüksek voltajlı uygulamalarda çok düşük güç direncini (RDS ((on)) elde eder, bu da iletkenlik kayıplarını önemli ölçüde azaltır. İkincisi, optimize edilmiş kapı tasarımı daha hızlı geçiş yapmayı ve geçiş sürecinde enerji kaybını azaltmayı sağlar.Modülün içinde birden fazla MOSFET yongaları bulunur., tam köprü, yarı köprü ve altı grup gibi çeşitli topolojileri destekleyebilir; Son olarak, gelişmiş ambalaj teknolojisi iyi termal iletkenlik performansını sağlar,Modülün yüksek sıcaklık ortamlarında istikrarlı çalışmasını sağlarMOSFET modülünün voltaj seviyesi, düşük voltajlı DC-DC dönüştürücüsünden yüksek voltajlı güç kaynağı sistemine kadar çeşitli ihtiyaçları karşılayan 40V ila 900V'yi kapsar.

Akıllı Güç Modülleri (IPM): Entegrelik ve Yüksek Güvenilirlik'in Mükemmel Cümleleri

Akıllı Güç Modülleri (IPM), güç elektroniklerinin en yüksek düzeyde entegrasyonunu temsil eder. ON'un IPM ürünleri yüksek voltajlı güç cihazlarını, kapı tahrik devrelerini,ve koruma fonksiyonlarını tek bir paketeÖzellikle tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve otomotiv uygulamalarındaki motor tahrik senaryoları için uygundur.Bu modüller 50W'den 10kW'a kadar geniş bir güç aralığı sunar., ve üç fazlı invertörler, PFC ( Güç Faktörü Düzeltmesi) ve giriş köprüsü düzelticileri gibi çeşitli topolojileri destekler.

ON IPM'nin temel avantajları esas olarak dört açıdan yansıtılır: Birincisi, yüksek entegrasyonlu tasarım, dış bileşenlerin sayısını ve PCB alanını azaltır, sistem karmaşıklığını ve maliyetini azaltır.;İkincisi, yerleşik sürücü devresi, elektromanyetik müdahaleyi (EMI) azaltırken güç cihazlarının anahtarlama özelliklerini optimize eder.kapsamlı koruma fonksiyonları (aşırı akım dahil)IPM ürün hattı 600V'ye kadar düşük ve orta voltajlı uygulamaları kapsar.Çeşitli güç seviyelerinin gereksinimlerini karşılamak için birkaç amperden onlarca ampere kadar akım kapasiteleri ile.

Silikon Karbid (SiC) Modülü: Yeni Nesil Güç Cihazları için Teknoloji Benchmark

Silikon karbid (SiC) güç modülleri, güç yarı iletken teknolojisinin en ileri gelişme yönünü temsil eder.ON'un SiC modülleri, üçüncü nesil yarı iletken malzeme silikon karbürünü (SiC) temel cihaz olarak kullanır, yüksek sıcaklık toleransı, yüksek frekans özellikleri ve düşük iletkenlik kaybı gibi önemli avantajlara sahiptir,Ve elektrikli araçlar gibi teknoloji alanlarının yükseltilmesini yönlendiriyor.Geleneksel silikon tabanlı güç cihazlarıyla karşılaştırıldığında,SiC modülleri sistem verimliliğini %3-5 oranında artırabilir ve enerji tüketimini %30'dan fazla azaltabilir, sistem boyutunu ve ağırlığını önemli ölçüde azaltırken, enerji verimliliği ve güç yoğunluğu zorluklarını karşılamak için ideal bir çözüm haline getiriyor.

ON SiC modüllerinin teknik avantajları esas olarak beş açıdan yansıtılır:SiC malzemesinin yüksek kritik parçalanma elektrik alanı gücü, cihazın sürüklenme bölgesinin kalınlığını azaltırken daha yüksek voltajlarda çalışmasını sağlar., bu da yanma direncini düşürür; ikincisi, SiC'nin geniş bant genişliğinde yasak özellikleri (3.26eV), cihazın daha yüksek sıcaklıklarda (200°C'den fazla) çalışmasını sağlar;Bu da ısı dağılım sisteminin karmaşıklığını azaltır.Üçüncüsü, SiC cihazları, ters geri kazanım akımına sahip değildir, bu da anahtarlama kayıplarını önemli ölçüde azaltır ve daha yüksek frekanslı çalışmaya izin verir.Mükemmel ısı iletkenliği (silikonun yaklaşık üç katı) güç yoğunluğunu arttırır ve daha kompakt bir sisteme izin verirSon olarak, sistemin genel verimliliğinin iyileştirilmesi, enerji tüketimini ve ısı dağılımı gereksinimlerini azaltır ve bunun sonucunda iyi bir döngü oluşur. SiC modülleri iki tip modül içerir:saf SiC modülleri ve Si/SiC hibrit modülleri, 1200V ve 1200V gerilim seviyeleri ile. Yüksek gerilim uygulamalarının ihtiyaçlarını karşılamak için gerilim seviyeleri esas olarak 1200V ve 1700V'dir.