Şirket Blog About ROHM SiC Güç Aygıtları:SiC Güç Modülü,SiC MOSFET'ler,SiC Schottky Bariyer Diyotları

ROHM SiC Güç Aygıtları:SiC Güç Modülü,SiC MOSFET'ler,SiC Schottky Bariyer Diyotları

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Ünlü bir elektronik bileşen dağıtımcısı olan “müşterilerimize hizmet etmek ve onlardan yararlanmak” ilkesine bağlı olarak, kaliteli elektronik bileşenlerin kapsamlı bir yelpazesi sunuyoruz.

[Satın alma avantajları]

1Tüm uygulama senaryolarını kapsayan kapsamlı ürün yelpazesi

Geniş bir temel ürün yelpazesi: 5G, yeni enerji, nesnelerin interneti (IoT), otomotiv sınıfı, iletişim ve AI entegre devrelerinde uzmanlaşırken, aynı zamanda hafızayı, sensörleri,Mikro denetleyici, Alan Programlanabilir Geçit Dizileri (FPGAs), alıcılar, Wi-Fi / Bluetooth kablosuz modülleri ve konektörleri.

Kesin sınıflandırma ve eşleştirme: Genel amaçlı, düşük güçlü, otomobil sınıfı (AEC-Q100, ASIL-B / D fonksiyonel güvenlik) ve endüstriyel sınıf (geniş sıcaklık aralığı -40 ° C'den 125 ° C'ye) ürünler sunuyoruz,Ev aletleri gibi çeşitli uygulama senaryolarına hizmet vermek, araç içi elektronik, endüstriyel kontrol, tıbbi ekipman ve akıllı giyilebilir cihazlar.

2Sıkı kalite kontrolü ve izlenebilirlik

Tüm ürünler resmi kanallardan alınır ve orijinal üretici sertifikası ve kapsamlı kalite izlenebilirlik raporları ile birlikte gelir.Sahte ve standart dışı ürünlerin ortadan kaldırılmasını sağlamakOtomobil sınıfı ve endüstriyel sınıf ürünlerinin hepsi ilgili endüstri standardı testlerini geçti (örneğin AEC-Q100).

Profesyonel kalite denetim süreci: parti tutarlılığını ve güvenilirliğini sağlamak için% 100 gelen denetim + sevkiyat öncesi yeniden denetim.

3Bol stok ve esnek teslimat

Geniş stoklarımız hem tek birim örnek siparişlerini hem de yüksek hacimli üretim gereksinimlerini destekler.

Standart siparişler 24 saat içinde gönderilir; acil siparişler 4 saat içinde yanıtlanır; önümüzdeki gün teslimat büyük bölgelerde mevcuttur.Hong Kong ve Shenzhen'deki çift depo ağı hızlı küresel yerine getirmemizi sağlar.

4Çeşitli İhtiyaçları Karşılamak İçin Esnek Fiyatlar ve Hizmetler

Toplu satın alma maliyet avantajları sunarken, katmanlı fiyatlandırma ve uzun vadeli fiyat koruma mekanizmaları müşterilerin harcamalarını yönetmelerine yardımcı olur.

Katma değerli hizmetler, tek nokta malzeme listesi (BOM) eşleşmesi, alternatif bileşen önerileri, teknik danışmanlık ve modası geçmiş stok yönetimi içerir.Alışveriş ve tasarım risklerini etkili bir şekilde azaltmak.

Yetkili ve yetkisiz kanalları birleştiren bir hibrit dağıtım modeli sayesinde, niş, üretimi kesilen veya nadir bulunan bileşenleri hızlı bir şekilde alabiliriz.

I. ROHM SiC Güç Modülleri: Tamamen Entegre Silikon Karbid, Yüksek Güçlü, Yüksek Verimlilikli Uygulamalar

SiC güç modülleri, ROHM'nin SiC ürün portföyünün içindeki üst düzey çekirdek ürünlerdir ve yüksek güç sistemlerinin çekirdek bileşenleri olarak hizmet ederler.Geleneksel silikon IGBT modülleri ve hibrit silikon karbid modülleri aksine, ROHM, tüm SiC güç modüllerinin büyük ölçekli seri üretiminde öncü olmuştur.Böylece silikon tabanlı cihazlarla ilişkili performans sıkıntılarını tamamen aşmak ve kayıp açısından kapsamlı yükseltmeler elde etmek, frekans ve sıcaklık özellikleri.

Temel performans açısından, ROHM'nin SiC güç modülleri olağanüstü düşük kayıplar sunar. Geleneksel silikon IGBT modülleriyle karşılaştırıldığında, anahtarlama kayıpları önemli ölçüde azalır.Şu anki sorunlardan kurtulmuşlar.Yüksek frekanslı çalışma koşullarında enerji verimliliği avantajları özellikle belirgindir.Fotovoltaik ve rüzgar enerjisi sistemleri için yüksek güçli dönüştürücüler, endüstriyel servo sürücüler ve enerji depolama dönüştürücüleri, ROHM'nin SiC güç modülleri sistem işletim kayıplarını etkili bir şekilde azaltabilir.Test sonuçları, araç içi invertörlerin enerji tüketiminin yaklaşık %6'sına ulaşmasına yardımcı olabileceğini göstermektedir., aracın menzilini ve güç üretimi verimliliğini önemli ölçüde arttırıyor.

Ürün tasarımı ve güvenilirliği açısından, ROHM, çip düzenini optimize ederek yüksek güçlü modüllerle ilişkili termal yönetim sıkıntılarını ve elektromanyetik müdahale sorunlarını çözdü.ambalajlama süreçleri ve termal yönetim yapılarıModüller, yüksek sıcaklık koşullarında iletkenlik kayıplarında veya anahtarlama özelliklerinde önemli bir bozulma olmaksızın mükemmel yüksek sıcaklık denge göstermektedir.ve geniş bir çalışma sıcaklık aralığı için uygundurlar: 40°C - 175°CÜrününün daha yüksek entegrasyon düzeyi, sistem çevre devrelerinin tasarımını basitleştirir ve pasif bileşen sayısını azaltır.Daha küçük ve daha hafif ekipman tasarımlarını kolaylaştırmakYüksek güç, yüksek frekans ve yüksek güvenilirlik ile karakterize endüstriyel ve otomotiv uygulamalarının zorlu koşullarına mükemmel bir şekilde uygundur.

Şu anda ROHM'in SiC güç modülleri geniş bir gerilim ve güç sınıfı kapsamını kapsar.Küçük ve orta güçlü endüstriyel ekipmanlardan megavat sınıfı yenilenebilir enerji üretim sistemlerine kadar değişik uygulamaların çeşitli ihtiyaçlarını karşılamak, ve üst düzey güç sistemlerini yükseltmek için temel bir çözüm olarak hizmet eder.

II. ROHM SiC MOSFET'ler: Çok Düşük Kayıplı Değişimin Çekirdekini Oluşturan Teknolojik Evrimin Dört Nesli

SiC MOSFET'ler, yüksek frekanslı güç dönüştürme sistemlerindeki temel anahtarlama cihazlarıdır.ROHM, endüstri lideri bir SiC MOSFET ürün portföyü oluşturduŞirket şu anda dördüncü nesil SiC MOSFET'lerinin seri üretimine odaklanıyor.Değiştirme kayıpları ve kısa devreye dayanma kapasitesi, genel performanslarını endüstrinin en üst seviyesine yerleştiriyor.

Geleneksel silikon MOSFET'lere kıyasla, ROHM'nin SiC MOSFET'leri devrim niteliğindeki performans avantajları sunar.ROHM'lerin SiC MOSFET'leri, 3'e kadar olan gerilim değerlerinde mevcuttur.SiC'nin yüksek parçalanma elektrik alanı kuvveti sayesinde, SiC'nin yüksek parçalanma elektrik alanı kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti sayesinde SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti sayesinde SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma elektrik kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti nedeniyle SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti sayesinde SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti nedeniyle SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti, SiC'nin yüksek parçalanma kuvveti ve SiC'nin yüksek parçalanma kuvYüksek voltaj değerlerinde bile son derece düşük bir spesifik yanma direnciyi korurlar., böylece “daha yüksek gerilim değerlerinin daha büyük direnç kayıplarına yol açtığı” geleneksel yüksek gerilimli silikon cihazlarla ilgili uzun süredir devam eden sorunu tamamen çözdü.SiC MOSFET'lerin geçiş süreci azınlık taşıyıcı depolama etkilerinden muaf ve mevcut kuyruğu sorunlarından muzdarip değildir.Dönüştürme hızı, silikon tabanlı cihazlardan çok daha fazla olup, birkaç yüz kHz'de yüksek frekanslı çalışmayı mümkün kılar ve sistem güç yoğunluğunu önemli ölçüde arttırır.

ROHM'nin dördüncü nesil SiC MOSFET'leri amiral gemisi ürünleridir; UMOS yapısını ve yonga üretim sürecini optimize ederek,Kısa devre dayanma süresini önemli ölçüde uzatırken endüstri lideri ultra düşük bir direnç elde ederler.Bu ürün serisi, optimize edilmiş bir kapı drenaj kapasitesine (Qgd) sahiptir.Değişim kayıplarını önceki nesillere kıyasla% 50 oranında azaltmakAyrıca, geleneksel silikon cihaz sürücü çözümleriyle uyumluluğu sağlayan ve böylece sistem yükseltme ve yenileme maliyetlerini azaltan 15 V standart bir kapı sürücü voltajını destekler.

ROHM'in SiC MOSFET'leri, olağanüstü genel performansları sayesinde, elektrikli araçların ana tahrik inverterleri, yerleşik şarj cihazları,yüksek kaliteli endüstriyel güç kaynakları, yüksek frekanslı fotovoltaik invertörler ve enerji depolama ekipmanları.ekipman boyutunu azaltmak ve daha düşük ısı dağılım maliyetleri, böylece son ürünlerin hafif ve enerji verimli yükseltmelerine katkıda bulunur.

III. ROHM SiC Schottky Bariyer Diyotları (SiC SBD'leri): Yüksek Hızlı, Düşük Kayıplı, Yüksek Frekanslı Düzleştirme Uygulamaları için Uygun

SiC Schottky bariyer diyotları (SiC SBD'ler), güç düzeltme devrelerinde temel bileşenlerdir. ROHM, birçok nesil ürün piyasaya sürerek yıllardır bu alanda uzmanlaşmıştır.Üçüncü nesil SCS3 serisi şu anda amiral gemisi ürünüdür., yüksek ters geri kazanım kayıpları gibi geleneksel silikon hızlı geri kazanım diyotları (FRD) ile ilişkili endüstri sorunlarını etkili bir şekilde ele almak,Yüksek frekanslı gürültü ve düşük sıcaklık kayması özellikleri.

Geleneksel silikon hızlı geri kazanım diyotları önemli ters geri kazanım akımı ve geri kazanım süresini gösterir; yüksek frekanslarda çalışırken,Çok fazla devre kaybı ve elektromanyetik müdahale yaratırlar., yüksek sıcaklık koşullarında performansları önemli ölçüde bozulurken. Buna karşılık, ROHM'lerin SiC SBD'leri, SiC malzemesinin özelliklerinden yararlanarak,sıfıra yakın ters geri kazanım özellikleri, önemli ölçüde optimize edilmiş ters geri kazanım akımı ve geri kazanım süresi ile. Yüksek frekanslı düzeltme koşullarında son derece düşük kayıplara sahiptirler,etkili bir şekilde anahtarlama gürültüsünü bastırarak ve sistem EMI tasarımının karmaşıklığını azaltarak.

Performans istikrarı açısından, ROHM'lerin SiC SBD'lerinin elektrik özellikleri çalışma akımı ve sıcaklığı tarafından neredeyse etkilenmez; ileri gerilim düşüşü,ters sızıntı akımı ve geri kazanım özellikleri geniş bir sıcaklık aralığında istikrarlıdır, silikon bazlı diyotlarla ilişkili yüksek sıcaklıklarda performans bozulması sorununu tamamen ortadan kaldırır.Üçüncü nesil SCS3 serisi, iteratif geliştirme yoluyla çip yapısını daha da optimize etti.İleri voltajı ve iletkenlik kayıplarını azaltırken, artış akımına dayanma kapasitesini önemli ölçüde arttırdı.Bu sayede cihazın şok direncini ve çalışma güvenilirliğini arttırır..

Ürün yelpazesi, geleneksel silikon Schottky diyotlarının gerilim direnç sınırlarını çok aşan 600 V ve üstü orta ve yüksek voltaj özelliklerini kapsar.Güç faktörü düzeltme (PFC) devreleri gibi yüksek frekanslı düzeltme uygulamalarıyla tamamen uyumludur, Inverter düzleyici devreleri, anahtarlama güç kaynakları, yeni enerji şarj ekipmanları ve endüstriyel değişken frekanslı ekipmanlar, son cihazların verimli düzeltme, maliyet azaltma,Gürültü azaltımı ve minyatür tasarımlar.