Şirket Blog About C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET'leri

Shenzhen Mingjiaoda Electronics Co., Ltd. [Sürtürecek Silikon Karbid MOSFET] İthalatlı Orijinal C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET Delik N Kanalı üzerinden 1200 V 115A ((Tc) 556W ((Tc) TO-247-3

Ürün Tanımı:

Wolfspeed SiC C3M MOSFET'ler, daha yüksek anahtarlama frekanslarını ve indüktörler, kondansatörler, filtreler ve transformatörler için cihaz boyutunu azaltmayı sağlar.SiC C3M MOSFET'ler daha yüksek sistem verimliliği ve daha düşük soğutma gereksinimleri sunarMOSFET'ler ayrıca güç yoğunluğunu ve sistem dönüşüm sıklığını artırır.

C3M0016120D Bir silikon karbid gücü MOSFET C3MTM MOSFET teknolojisi N kanal geliştirme modu.

Ürün Özellikleri:

Üretici:Wolfspeed

Ürün kategorisi: Silikon Karbid MOSFET'ler

Kanal Modu: Geliştirme

Yapılandırma: Tek

Çıkış süresi: 27 ns

İleri transkonduktans - min: 53 S

Id-sürekli akım: 115 A

Maksimum çalışma sıcaklığı: + 175 C

Asgari çalışma sıcaklığı: - 40 C

Montaj tarzı: Delikten

Kanal sayısı: 1 Kanal

Paket / Dosya: TO-247-3

Pd-güç dağılımı: 556 W

Ürün türü: SiC MOSFETS

Qg-Gate yükü: 207 nC

Rds On-drain on-resistance: 22.3 mOhms

Yükselme süresi: 28 ns

Fabrika Paketi: 30

Alt kategori: Transistörler

Teknoloji: SiC

Transistör kutupluğu: N-Kanal

Tipik kapatma gecikme süresi: 84 ns

Tipik açılma gecikme süresi: 174 ns

Vds - boşaltma kaynağı arıza voltajı: 1,2 kV

Vgs - kapı kaynağı voltajı: - 8 V, + 19 V

Vgs th - kapı kaynağı eşiği voltajı: 1.8 V

Birim ağırlığı: 6 g

Eğer ilgileniyorsanız, lütfen Bay Chen'i arayın:

Tel: +86 134101018555

E-posta: sales@hkmjd.com

Şirketin ana sayfası:www.hkmjd.com