IMBG120R140M1H Entegre Devre Yongası 1200V SiC MOSFET Transistörler TO-263-7 Paketi

Entegre Devre Yongası IMBG120R140M1H 1200 V SiC Trench MOSFET Transistörler, TO-263-7 paketinde

ŞartnameIMBG120R140M1H

IMBG120R140M1H'nin Özellikleri
Çok düşük anahtarlama kayıpları
Kısa devre dayanım süresi 3 µs
Tamamen kontrol edilebilir dV/dt
Karşılaştırma kapısı eşik gerilimi, VGS(th) = 4,5V
Parazit açmalara karşı dayanıklı, 0V kapama kapısı gerilimi uygulanabilir
Sert komütasyon için sağlam gövde diyodu
Sınıfının en iyisi termal performans için XT ara bağlantı teknolojisi
Paket kaçak ve boşluk mesafesi > 6,1 mm
Optimize edilmiş anahtarlama performansı için algılama pimi

IMBG120R140M1H'nin Faydaları
Verimlilik artışı
Daha yüksek frekansı etkinleştirme
Artan güç yoğunluğu
Soğutma eforu azaltma
Sistem karmaşıklığının ve maliyetinin azaltılması

IMBG120R140M1H'nin potansiyel uygulamaları
Sürücüler
Altyapı – Şarj Cihazı
Enerji üretimi - Solar dizi inverter ve solar optimizer
Endüstriyel güç kaynakları - Endüstriyel UPS

SSS
S. Ürünleriniz orijinal mi?
C: Evet, tüm ürünler orijinaldir, amacımız yeni orijinal ithalattır.
S: Hangi Sertifikalara sahipsiniz?
A:ISO 9001:2015 Sertifikalı Şirketiz ve ERAI üyesiyiz.
S: Küçük miktardaki siparişi veya numuneyi destekleyebilir misiniz? Numune ücretsiz mi?
C: Evet, numune siparişini ve küçük siparişi destekliyoruz. Siparişinize veya projenize göre numune maliyeti farklıdır.
S: siparişimi nasıl gönderirim?Güvenli mi?
A:DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS gibi nakliye için ekspres kullanıyoruz.Önerdiğiniz ileticiyi de kullanabiliriz. Ürünler iyi bir ambalaj içinde olacak ve güvenliği sağlayacak ve siparişinizdeki ürün hasarından biz sorumluyuz.
S: Kurşun zamanı ne olacak?
C: Stok parçalarını 5 iş günü içinde gönderebiliriz. Stok yoksa, sipariş miktarınıza göre sizin için teslimat süresini teyit edeceğiz.