Ürün ayrıntıları:
|
parça numarası: | IMBG65R039M1HXTMA1 | RDS (açık) (@ Tj = 25°C): | 39 mΩ |
---|---|---|---|
VDS maks.: | 650V | Qg - Kapı Yükü: | 41 nC |
Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı: | 54 bir | teknoloji: | SiCFET (Silisyum Karbür) |
Silisyum Karbür Transistörler IMBG65R039M1HXTMA1 Entegre Devre Yongası TO-263-8
Ürün AçıklamasıIMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1, katı silisyum karbür teknolojisi üzerine inşa edilmiş N-Kanallı 650V CoolSiC M1 SiC Hendek Güç Cihazıdır.
ŞartnameIMBG65R039M1HXTMA1
Parça Numarası | IMBG65R039M1HXTMA1 |
---|---|
BEND(@25°C)maks. | 54 bir |
Çalışma sıcaklığıdakika maks. | -55 °C 175 °C |
Ptot maks. | 211 W |
Polarite | N |
Vasıf | Sanayi |
ÖzellikleriIMBG65R039M1HXTMA1
UygulamalarıIMBG65R039M1HXTMA1
Stoktaki Diğer Elektronik Bileşenler
Parça Numarası | paket |
PEX8733-CA80BC | BGA |
SN65LV1224BRHBT | QFN-32 |
CS5480-INZR | QFN24 |
IPG20N06S4L-14 | TDSON-8 |
TL16C554FNR | PLCC68 |
MC14538BDWR2G | SOP16 |
SSS
S: Ürünleriniz orijinal mi?
C: Evet, tüm ürünler orijinaldir, amacımız yeni orijinal ithalattır.
S: Hangi Sertifikalara sahipsiniz?
A: Biz ISO 9001:2015 Sertifikalı Şirketiz ve ERAI üyesiyiz.
S: Küçük miktardaki siparişi veya numuneyi destekleyebilir misiniz? Numune ücretsiz mi?
C: Evet, numune siparişini ve küçük siparişi destekliyoruz. Siparişinize veya projenize göre numune maliyeti farklıdır.
S: Siparişimi nasıl gönderirim?Güvenli mi?
Y: DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS gibi ekspres kargoları kullanıyoruz. Ayrıca önerilen nakliyecinizi de kullanabiliriz. Ürünler iyi bir ambalaj içinde olacak ve güvenliği sağlayacak ve siparişinizdeki ürün hasarından biz sorumluyuz.
S: Kurşun zamanı ne olacak?
A: Stok parçalarını 5 iş günü içinde gönderebiliriz. Stok yoksa, sipariş miktarınıza göre sizin için teslim süresini teyit edeceğiz.
İlgili kişi: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Faks: 86-0755-83957753