Entegre Devre Çipleri GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN SiC HEMT Transistörleri

Entegre devreler çipi GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN SiC HEMT transistörlerinde

Ürün TanımıGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2, çok standartlı hücresel güç güçlendirici uygulamalarında kullanılmak üzere SiC yüksek elektron hareketliliği tranzistöründe (HEMT) 270 watt GaN'dir. Giriş eşleşmesi, yüksek verimlilik,ve kulaksız flensli termal olarak güçlendirilmiş yüzey montajı paketi.

SpesifikasyonİçindenGTVA262701FA-V2-R2

ÖzellikleriGTVA262701FA-V2-R2

• SiC HEMT teknolojisi üzerine GaN
• Giriş eşleştirildi
• Tipik impulslu CW performansı: 10 μs impuls genişliği,% 10 çalışma döngüsü, 2690 MHz, 48 V
- P3dB = 270 W'daki çıkış gücü
- Verimlilik = 66%
- Kazanç = 18.1 dB
• İnsan vücudu modeli Sınıf 1B (ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 uyarınca)
• 10: 1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA) çıkış gücünü işleyebilir
• Pb'siz ve RoHS uyumlu

Depoda bulunan Diğer Elektronik Bileşenler

Sık Sorulan Sorular
Ürünleriniz orijinal mi?
A: Evet, tüm ürünler orijinal, yeni orijinal ithalat bizim amacımızdır.
S: Hangi sertifikalarınız var?
Cevap: ISO 9001: 2015 sertifikalı bir şirket ve ERAI üyesiyiz.
S:Küçük miktarlı siparişi veya örneği destekleyebilir misiniz? Örnek ücretsizdir mi?
A:Evet, örnek siparişi ve küçük siparişi destekliyoruz. Örnek maliyeti siparişinize veya projenize göre farklı.
S: Siparişimi nasıl göndereceğim?
A:Gemiye göndermek için ekspres kullanıyoruz, örneğin DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Ayrıca önerdiğiniz nakliyeciyi de kullanabiliriz.Ürünler iyi ambalaj olacak ve güvenliğini sağlamak ve biz sipariş ürün hasarı için sorumludur.
S: Peki ya teslimat süresi?
A: 5 iş günü içinde stok parçalarını gönderebiliriz. Eğer stok yoksa, sipariş miktarınıza göre teslim sürenizi onaylayacağız.