STGW80H65DFB Entegre Devre Çip Trench Gate Alan Durumu 650V 80A Yüksek Hızlı HB Serisi IGBT Transistörleri

STGW80H65DFB Entegre Devre Çip Trench Gate Alan Durumu 650V 80A Yüksek Hızlı HB Serisi IGBT Transistörleri

STGW80H65DFB'nin Ürün Tanımı
STGW80H65DFB cihazları, gelişmiş bir patentli hendek kapısı alan durak yapısı kullanarak geliştirilen IGBT'lerdir.herhangi bir frekans dönüştürücünün verimliliğini en üst düzeye çıkarmak için iletkenlik ve anahtarlama kaybı arasında optimum bir uzlaşma temsil edenAyrıca, hafif derecede pozitif VCE (sat) sıcaklık katsayısı ve çok sıkı bir parametreler dağılımı daha güvenli paralel çalışmaya yol açar.

STGW80H65DFB'nin özellikleri

STGW80H65DFB'nin özellikleri
En yüksek bağlantı sıcaklığı: TJ = 175 °C
Yüksek hızlı anahtarlama serisi
Minimize edilmiş kuyruk akımı
Düşük doygunluk voltajı: VCE ((sat) = 1.6 V (tipik) @ IC = 80 A
Sıkı parametre dağılımı
Güvenli paralellik
Pozitif VCE (sat) sıcaklık katsayısı
Düşük ısı direnci
Çok hızlı yumuşak geri dönüşlü paralel karşı diyot

STGW80H65DFB'nin uygulamaları
Fotovoltaik invertörler
Yüksek frekanslı dönüştürücüler

Depoda bulunan Diğer Elektronik Bileşenler

Sık Sorulan Sorular
Ürünleriniz orijinal mi?
A: Evet, tüm ürünler orijinal, yeni orijinal ithalat bizim amacımızdır.
S: Hangi sertifikalarınız var?
Cevap: ISO 9001: 2015 sertifikalı bir şirket ve ERAI üyesiyiz.
S:Küçük miktarlı siparişi veya örneği destekleyebilir misiniz? Örnek ücretsizdir mi?
A:Evet, örnek sipariş ve küçük sipariş destekleriz. Örnek maliyeti sipariş veya projeye göre farklıdır.
S: Siparişimi nasıl göndereceğim?
A:Gemiye göndermek için ekspres kullanıyoruz,örneğin DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Ayrıca önerdiğiniz nakliyecisini de kullanabiliriz.Ürünler iyi ambalaj olacak ve güvenliğini sağlamak ve biz sipariş ürün hasarı için sorumludur.
S: Peki ya teslimat süresi?
A: 5 iş günü içinde stok parçalarını gönderebiliriz. Eğer stok yoksa, sipariş miktarınıza göre teslim sürenizi onaylayacağız.