LMG1025QDEERQ1 Entegre Devre Çipi Otomotiv Düşük Taraf GaN ve MOSFET Sürücü WSON-6

LMG1025QDEERQ1, yüksek anahtarlama frekanslı otomotiv uygulamaları için tek kanallı, düşük taraflı, geliştirme modlu GaN FET ve mantık seviyesi MOSFET sürücüsüdür. Dar darbe genişliği yeteneği, hızlı anahtarlama spesifikasyonu ve küçük darbe bozulması, LiDAR, ToF ve Güç Dönüştürücü performansını önemli ölçüde artırmak için bir araya gelir.

1.25ns çıkış darbe genişliği, daha güçlü, göz güvenli diyot darbelerine olanak tanır. Bu, 300ns bozulma ile birleştiğinde, daha uzun menzilli, hassas LiDAR/ToF sistemlerine yol açar. 2.9ns yayılma gecikmesi, kontrol döngüsü yanıt süresini ve dolayısıyla güç dönüştürücülerin genel performansını önemli ölçüde iyileştirir. Ayrık çıkış, sürüş gücünün ve zamanlamanın harici dirençler aracılığıyla OUTH, OUTL ve FET kapısı arasında bağımsız olarak ayarlanmasına olanak tanır.

• 1.25ns tipik minimum giriş darbe genişliği
• 2.6ns tipik yükselen yayılma gecikmesi
• 2.9ns tipik düşen yayılma gecikmesi
• 300ps tipik darbe bozulması
• Bağımsız 7A çekme ve 5A itme akımı
• 650ps tipik yükselme süresi (220pF yük)
• 850ps tipik düşme süresi (220pF yük)
• 2mm x 2mm QFN paketi
• Ters çeviren ve ters çevirmeyen girişler
• UVLO ve aşırı sıcaklık koruması
• Tek 5V besleme voltajı

• Otomotiv LIDAR
• Sürücü izleme
• Araç yolcu tespit sensörü
• DC/DC dönüştürücü

C: Evet, tüm ürünler orijinaldir, yeni orijinal ithalat amacımızdır.

C: ISO 9001:2015 Sertifikalı bir şirketiz ve ERAI üyesiyiz.

C: Evet, numune siparişi ve küçük siparişleri destekliyoruz. Numune maliyeti, siparişinize veya projenize göre farklılık gösterir.

C: DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS gibi ekspres kargo kullanıyoruz. Önerdiğiniz ileticiyi de kullanabiliriz. Ürünler iyi paketlenmiş olacak ve güvenliği sağlayacaktır ve siparişinize yönelik ürün hasarından biz sorumluyuz.

C: Stoktaki parçaları 5 iş günü içinde gönderebiliriz. Stokta yoksa, sipariş miktarınıza göre teslim süresini sizin için onaylayacağız.