Çin Entegre devre çipi

• 

  16MHz Entegre Devre Çipi ATMEGA32U4-MU 8Bit Mikrodenetleyici Çipi 44VQFN IC Çipi

  Parça Numarası:ATMEGA32U4-MU

  Genel Amaçlı Çalışma Kayıtları:32 x 8 Genel Amaçlı Çalışma Kayıtları

  Verim:16 MHz'de 16'ya kadar MIPS Çıkışı

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası LT6654AIS6-5 Besleme Yüksek Çıkışlı Sürücü IC SOT-23-6 Düşük Gürültü

  Parça Numarası:LT6654AIS6-5

  Düşük gürültü:1,6ppmP-P (0,1Hz ila 10Hz)

  Geniş Tedarik:36V aralığı

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası ADS1258IRTCR 16-Kanal 24-Bit Analog-Dijital Dönüştürücü

  Parça Numarası:ADS1258IRTCR

  Bit Sayısı:24

  Örnekleme Hızı (Saniyede):125 bin

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası AQC113-B1-I 10 Gb/sn PCIe Ethernet Denetleyici Yongası FCBGA224

  Parça Numarası:AQC113-B1-I

  3. Nesil:3. Nesil x2

  2. Nesil:2. Nesil x2

  Şimdi başvurun
• 

  SIC Entegre Devre Yongası SCT1000N170AG HiP247 Silisyum Karbür Güç MOSFET

  Parça Numarası:SCT1000N170AG

  TC = 25 °C'de toplam güç kaybı:96W

  Depolama Sıcaklık Aralığı:-55 °C ila 200 °C

  Şimdi başvurun
• 

  SIC MOSFET'ler SCT070HU120G3AG SIC Entegre Devre Çipi HU3PAK 1200V 63mΩ IC Çipi

  Parça Numarası:SCT070HU120G3AG

  Drenaj Kaynağı Gerilimi:1200V

  Tahliye akımı (darbeli):100A

  Şimdi başvurun
• 

  30A SIC Entegre Devre Yongası SCT070H120G3AG H²PAK-7 Silisyum Karbür Güç MOSFET

  Parça Numarası:SCT070H120G3AG

  Drenaj Kaynağı Gerilimi:1200V

  Kapı-Kaynak Gerilimi:-10V - 22V

  Şimdi başvurun
• 

  Silisyum Karbür Güç MOSFET SCT040HU65G3AG SIC Entegre Devre Çipi HU3PAK IC Çipi

  Parça Numarası:SCT040HU65G3AG

  paket:HU3PAK

  Tahliye kaynağı arıza gerilimi (VGS = 0 V, ID = 1 mA) Min:650V

  Şimdi başvurun
• 

  SIC Entegre Devre Çipi SCT040H65G3AG SiC MOSFET'ler H²PAK-7 Geniş Bant Aralıklı Transistörler

  Parça Numarası:SCT040H65G3AG

  Kapatma anahtarlama enerjisi (RG=15Ω, VGS=-5V ila 18V) Tip:67µJ

  paket:H²PAK-7

  Şimdi başvurun
• 

  Güç Transistörleri SCT040H120G3AG SIC Entegre Devre Yongası H2PAK-7 Otomotiv Sınıfı

  Parça Numarası:SCT040H120G3AG

  RDS(açık) tipi:40 mΩ

  Statik boşaltma kaynağı direnci (VGS = 18 V, ID = 16 A)Tip:40MΩ

  Şimdi başvurun
• 

  SIC Entegre Devre Çipi SCT020H120G3AG Geniş Bant Aralıklı Transistörler 100A SiC MOSFET'ler

  Parça Numarası:SCT020H120G3AG

  TC = 25 °C'de toplam güç kaybı:555 W

  Tahliye akımı (darbeli):281 bir

  Şimdi başvurun
• 

  SiC MOSFET'ler Transistörler SCT012H90G3AG 110A SIC Entegre Devre Çipi H2PAK-7

  Parça Numarası:SCT012H90G3AG

  Kapatma anahtarlama enerjisi (Tip):889uJ

  Açılma gecikme süresi(Tip):37ns

  Şimdi başvurun