Çin Entegre devre çipi

• 

  Entegre Devre Yongası NTBG025N065SC1 Silisyum Karbür MOSFET Transistörler TO-263-8

  parça numarası:NTBG025N065SC1

  Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı:106 bir

  Rds Açık - Drenaj Kaynağı Direnci:28,5 mOhm

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Çipi NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V N-Kanallı MOSFET Transistör

  parça numarası:NTH4L075N065SC1

  Ultra Düşük Kapı Şarjı:QG(toplam) = 61 nC

  Düşük Çıkış Kapasitesi:Coss = 107 pF

  Şimdi başvurun
• 

  650V N-Kanallı MOSFET Transistörler NTH4L025N065SC1 Delikten TO-247-4 IC Chips

  parça numarası:NTH4L025N065SC1

  Asgari Çalışma Sıcaklığı:-55°C (TJ)

  Pd - Güç Tüketimi:348 W

  Şimdi başvurun
• 

  N-Kanal MOSFET Transistörler NTHL020N120SC1 1200V Entegre Devre Yongası TO-247-3

  parça numarası:NTHL020N120SC1

  Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

  Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds:2890pF @ 800V

  Şimdi başvurun
• 

  1200V SiC Hendek MOSFET IMBG120R045M1H N-Kanallı MOSFET Transistörler TO-263-8

  Parça Numarası:IMBG120R045M1H

  Kısa devre dayanım süresi:3 µs

  Kapatma kapısı voltajı:0V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiC Hendek MOSFET Transistörler

  Parça Numarası:IMBG120R060M1H

  Darbeli tahliye akımı:94A

  Güç dağılımı,TC = 25°C:181W

  Şimdi başvurun
• 

  N-Kanal IMBG120R220M1H 1200V Silisyum Karbür Hendek TO-263-8 MOSFET Transistörler

  Parça Numarası:IMBG120R220M1H

  Güz Zamanı:11 sn

  İleri İletkenlik - Min:1.9 S

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Çipi MSC025SMA120J N-Kanal Güç MOSFET Transistörleri

  Parça Numarası:MSC025SMA120J

  Asgari Çalışma Sıcaklığı:- 55 C

  Maksimum Çalışma Sıcaklığı:+ 175 C

  Şimdi başvurun
• 

  Silisyum Karbür MOSFET Transistörler IMW120R140M1H N-Kanal 1200V 19A 94W Delikten

  Parça Numarası:IMW120R140M1H

  Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)

  polarite:N

  Şimdi başvurun
• 

  IC'ler Yonga MSC025SMA120S 1200 V Silisyum Karbür N-Kanallı MOSFET Transistörler

  parça numarası:MSC025SMA120S

  FET Tipi:N-Kanal

  Akım - Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C:89A (TC)

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası MSC180SMA120B 1200V SiC MOSFET Transistörler TO-247-4

  Parça Numarası:MSC180SMA120B

  transistör polaritesi:N-Kanal

  Montaj Tarzı:Delikten

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası MSC090SMA070S 700V SiC MOSFET Transistörler TO-268-3

  Parça Numarası:MSC090SMA070S

  Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı:25 bir

  Bağlantıdan kasaya termal direnç (Tip):1,10W/°C

  Şimdi başvurun