Çin Entegre devre çipi

• 

  Entegre Devre Yongası TW140N120C,S1F Tek FET Transistörler TO-247-3 N-Kanal

  parça numarası:TW140N120C,S1F

  Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi:1,2kV

  Montaj Tarzı:Delikten

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Çipi SCTH35N65G2V-7AG Yüzey Montajlı 650V 45A Transistörler

  parça numarası:SCTH35N65G2V-7AG

  Kanal Modu:Artırma

  Yapılandırma:Bekar

  Şimdi başvurun
• 

  Yüzey Montajlı SCTH35N65G2V-7 Tek N-Kanal 650V 45A 208W Transistörler

  parça numarası:SCTH35N65G2V-7

  Vdss:650V

  Sürücü gerilimi:18V, 20V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Çipi SCTH40N120G2V-7 N-Kanal Yüzey Montajlı Transistörler

  parça numarası:SCTH40N120G2V-7

  Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Vgs th - Kapı-Kaynak Eşik Gerilimi:5 V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası SCT10N120AG 1200V 12A N-Kanallı Transistörler TO-247-3

  parça numarası:SCT10N120AG

  Asgari Çalışma Sıcaklığı:- 55 C

  Maksimum Çalışma Sıcaklığı:+ 200 C

  Şimdi başvurun
• 

  Tek FET'ler MOSFET'ler Transistörler TW030N120C,S1F Entegre Devre Yongası TO-247-3

  parça numarası:TW030N120C,S1F

  Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds:2925 pF @ 800 V

  Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:82 nC @ 18 V

  Şimdi başvurun
• 

  N-Kanal Transistörler TW015N65C,S1F Entegre Devre Yongası TO-247-3 Transistörler

  parça numarası:TW015N65C,S1F

  teknoloji:SiCFET (Silisyum Karbür)

  Giriş Kapasitesi:4850pF

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası TW048N65C,S1F TO-247-3 Silisyum Karbür N-Kanal Transistörleri

  parça numarası:TW048N65C,S1F

  Vgs(th) (Maks) @ Kimlik:5V @ 1.6mA

  Yükselme zamanı:43 sn

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası SCTW40N120G2VAG Güç MOSFET N-Kanal Transistörleri TO-247-3

  parça numarası:SCTW40N120G2VAG

  Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık):18V

  Akım - Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C:33A (TC)

  Şimdi başvurun
• 

  SCTWA30N120 Silisyum Karbür N-Kanallı Transistörler TO-247-3 Delikten

  parça numarası:SCTWA30N120

  Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi:1,2kV

  Rds Açık - Drenaj Kaynağı Direnci:100 mOhm

  Şimdi başvurun
• 

  650V Transistörler IMBG65R083M1HXTMA1 Silisyum Karbür MOSFET Tek Tüp TO-263-8

  parça numarası:IMBG65R083M1HXTMA1

  teknoloji:SIC

  Montaj Tarzı:SMD/SMT

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası IMBG65R107M1HXTMA1 N-Kanal 650V MOSFET'ler Transistörler

  parça numarası:IMBG65R107M1HXTMA1

  Seri:CoolSIC™ M1

  FET Tipi:N-Kanal

  Şimdi başvurun