Çin Entegre devre çipi

• 

  H2PAK-7 Yüzey Montajlı SCTH90N65G2V-7 N-Kanallı Silisyum Karbür Transistörler

  parça numarası:SCTH90N65G2V-7

  FET Tipi:N-Kanal

  Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı:90 bir

  Şimdi başvurun
• 

  N-Kanal Transistörler SCT4026DW7HRTL Entegre Devre Yongası TO-263-7L SiC Güç MOSFET

  parça numarası:SCT4026DW7HRTL

  transistör polaritesi:N-Kanal

  Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi:750V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Çipi NVBG020N090SC1 Tek N-Kanallı Transistörler D2PAK-7 28mOhm

  parça numarası:NVBG020N090SC1

  Tipik Açılma Gecikme Süresi:39 sn

  Transistör Tipi:1 N-Kanal

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası TW070J120B,S1Q N-Kanallı MOSFET'ler Transistörler TO-3P-3

  parça numarası:TW070J120B,S1Q

  Yüksek voltaj:VDSS = 1200V

  Kapı-Kaynak Gerilimi:+25V/-10V

  Şimdi başvurun
• 

  Transistörler TO-247-3 TW015N120C,S1F N-Kanal Tek FET'ler MOSFET'ler Transistörler 1200V

  parça numarası:TW015N120C,S1F

  Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık):18V

  Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:158 nC @ 18 V

  Şimdi başvurun
• 

  Silisyum Karbür MOS Transistörler TW107N65C,S1F N-Kanal TO-247-3 650V IC Cipsleri

  parça numarası:TW107N65C,S1F

  Qg - Kapı Yükü:28 nC

  Vgs - Kapı-Kaynak Gerilimi:- 10 V, + 25 V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası TW027N65C,S1F N-Kanallı Transistörler TO-247-3 Silisyum Karbür

  parça numarası:TW027N65C,S1F

  Ürün Kategorisi:MOSFET

  Kanal Sayısı:1 kanal

  Şimdi başvurun
• 

  Transistörler SCTW100N65G2AG Otomotiv Sınıfı Silisyum Karbür MOSFET 650V 100A 20mOhm

  parça numarası:SCTW100N65G2AG

  FET Tipi:N-Kanal

  teknoloji:SiCFET (Silisyum Karbür)

  Şimdi başvurun
• 

  8-PowerVDFN SCTL90N65G2V MOSFET Silisyum Karbür Güç MOSFET 650V 18mOhm Tip 40 A

  parça numarası:SCTL90N65G2V

  teknoloji:SIC

  transistör polaritesi:N-Kanal

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası SCT30N120H N-Kanal 1200V Tek MOSFET Transistörler

  parça numarası:SCT30N120H

  teknoloji:SiCFET (Silisyum Karbür)

  Sürücü gerilimi:20V

  Şimdi başvurun
• 

  1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Kanal Silisyum Karbür Güç MOSFET Açık Delik HiP247

  parça numarası:SCTWA50N120

  Rds Açık - Drenaj Kaynağı Direnci:52 mOhm

  Vgs - Kapı-Kaynak Gerilimi:- 10 V, + 25 V

  Şimdi başvurun
• 

  Entegre Devre Yongası TW060N120C,S1F N-Kanallı Transistörler TO-247-3 Silisyum Karbür

  parça numarası:TW060N120C,S1F

  Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:46 nC @ 18 V

  Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds:1530pF @ 800V

  Şimdi başvurun